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丁胺包裹的CdSe量子点敏化的TiO_2纳米晶薄膜电子转移机制被引量：7: 2015年; 利用超快光谱技术系统研究了在丁胺包裹的CdSe量子点敏化的TiO2纳米晶薄膜起始时刻界面间电子转移动力学。与之前的报道不同,该实验结果表明：CdSe量子点经过表面修饰后,两相电子注入机制——热电子和冷电子注入得以被证实,即：电子能分别从CdSe量子点导带中高的振动能级和导带底转移到TiO2的导带。该机制详细描绘了电子在纳米界面间转移的图景。进一步研究发现：热电子注入的电子耦合强度（3.6±0.1 meV）比弛豫后的基态电子注入高两个数量级,基于Marcus理论,伴随着0.083 eV的重组能,冷电子注入的耦合强度值为-50μeV。; 李正顺岳圆圆张艳霞王岩王雷王海宇; 关键词：半导体纳米晶 CDSE

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岳圆圆