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孙锐

作品数:4 被引量:5H指数:1
供职机构:湖北大学材料科学与工程学院功能材料绿色制备与应用教育部重点实验室更多>>
发文基金:教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金武汉市学科带头人计划基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程理学更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电气工程
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇压电
  • 2篇压电陶瓷
  • 2篇陶瓷
  • 1篇电性能
  • 1篇压电介电性能
  • 1篇氧化锆
  • 1篇钛酸铅
  • 1篇锆钛酸铅
  • 1篇无铅
  • 1篇无铅压电
  • 1篇无铅压电陶瓷
  • 1篇稀土
  • 1篇稀土掺杂
  • 1篇相结构
  • 1篇介电
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇共沉淀
  • 1篇共沉淀法
  • 1篇共沉淀法制备

机构

  • 4篇湖北大学

作者

  • 4篇何云斌
  • 4篇常钢
  • 4篇尚勋忠
  • 4篇孙锐
  • 4篇郭金明
  • 4篇刘越彦

传媒

  • 2篇中国材料科技...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2013
  • 3篇2012
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
抗还原型PZT压电陶瓷的制备与性能被引量:1
2013年
采用固相法制备出可在低氧压和还原性气氛中烧结的压电陶瓷材料。材料最佳组成为:Pb0.95Sr0.05(Zr0.54Ti0.46)O3+0.03%(质量分数)CuO+0.05%Nd2O3+1.00%Sb2O3。通过施主和受主共掺杂,既抑制了烧结过程中氧空位扩散,又避免了Ti4+与自由电子结合转变成为Ti3+,使陶瓷保持了压电性能。结果表明:添加半径合适的稀土元素,是使陶瓷具有抗还原性能的关键之一。当烧结温度为1050℃时,陶瓷压电应变常数d33=294 pC/N,平面机电耦合系数kp=43.56%,相对介电常数εT33/ε0=1 333,介电损耗tanδ=0.019 7。该材料可应用于与Ni、Cu等贱金属低温共烧的叠层压电器件中,能够大大降低器件的成本。
尚勋忠刘越彦孙锐郭金明周桃生常钢何云斌
关键词:压电陶瓷锆钛酸铅稀土掺杂
LiBiO2掺杂的低温烧结PSZT压电陶瓷被引量:4
2012年
采用固相二步合成法,通过在预烧粉料中添加LiBiO2,制备出一种低温烧结的Pb0.95Sr0.05(Zr0.54Ti0.46)O3压电陶瓷材料。LiBiO2的添加具有降低烧结温度同时提高陶瓷性能的优点。实验结果表明:适量的LiBiO2掺杂,可形成过渡液相烧结,使烧结温度降低到950~1050℃,比未添加时的烧结温度低240~340℃。当w(LiBiO2)=1.0%,陶瓷达到最佳压电性能:压电应变常数d33=425 pC/N,平面机电耦合系数kp=57.62%,退极化温度Td=350℃,相对介电常数ε3T3/ε0=1543,介电损耗tanδ=0.0216,剩余极化强度Pr=35.51μC/cm2,体积密度ρ=7.45g/cm3。该材料可应用于低温共烧的叠层压电器件中。
刘越彦尚勋忠孙锐郭金明周桃生常钢何云斌
烧结气氛对KNN基无铅压电陶瓷性能的影响
2012年
本文利用传统固相烧结法制备(K0.47Na0.47Li0.066)(Nb0.94Sb0.06)0.96%Ta0.04O3(简称KNLNST)无铅压电陶瓷,通过在烧结过程中添加与基方相同成分的粉料作为保护气氛,定量研究了不同的烧结气氛对KNLNST无铅压电陶瓷性能的影响。实验表明添加30wt%气氛粉料时所得陶瓷压电介电性能得到明显提高:d33=235pC/N,Tε33/ε0=1218,tanδ=0.0420,kp=42.5%,k1=43%,Qm=54,Pr=18.5μC/cm^2,Ec=1.61kV/mm。相对于不添加气氛粉料时,陶瓷压电铁电性能d33、kp、k1,Pr分别提高13.0%、32.4%、48.3%、14.9%,介电损耗tanδ下降64.3%。本研究结果有助于充分挖掘含有易挥发性元素陶瓷材料的优良压电介电性能。
郭金明尚勋忠刘越彦孙锐周桃生常钢何云斌
关键词:无铅压电陶瓷压电介电性能
共沉淀法制备部分钇稳定的二氧化锆
2012年
采用共沉淀法制备了部分钇稳定的二氧化锆粉体(YSZ),研究了不同钇含量、不同锆液浓度和不同煅烧条件对粉体的相结构的影响。实验结果表明YSZ粉体中四方相含量变化对钇的掺杂量极为敏感,锆液浓度必须高于0.2mol/L才能得到部分稳定的二氧化锆,煅烧条件对粉体的相结构无明显影响。通过实验获得了YSZ粉体的较佳制备条件。
孙锐尚勋忠刘越彦郭金明常钢周桃生何云斌
关键词:二氧化锆共沉淀法相结构
共1页<1>
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