吴可
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
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- CCD热工艺过程的硅片翘曲优化研究
- 2012年
- 针对光刻线宽均匀性控制问题,研究了硅片翘曲度对光刻线宽均匀性的影响。采用翘曲度测试仪研究热工艺过程中硅片翘曲度的变化。研究结果表明,硅片翘曲度对线宽均匀性产生重要的影响,翘曲度大,则线宽均匀性降低。通过优化栅氧化工艺的升降温速率、进出炉速率,使硅片翘曲度降低,线宽非均匀性由±4%降低到±2%。
- 吴可邓涛雷仁方向鹏飞
- 关键词：CCD翘曲度
- CCD栅复合介质厚度对界面态的影响被引量：1
- 2008年
- 采用正交试验方法进行了用于CCD栅复合介质的SiO2和Si3N4厚度的配比实验,研究了退火温度和退火气氛对复合介质界面态的影响,获得了最佳的复合介质SiO2与Si3N4的厚度配比,使得Si-SiO2界面态密度满足设计制作要求。
- 张故万汪凌吴可伍明娟
- 关键词：复合介质界面态密度退火
- 浮胶引起的缺陷对CCD成像的影响分析
- 2013年
- 针对大面阵CCD成像黑缺陷多的特点,从机理和制作工艺上进行了分析研究。结果表明,CCD成像黑缺陷主要由光刻工艺缺陷引起。光刻LOCOS、地和沟阻工艺中产生的浮胶是CCD成像黑缺陷的主要来源。在制作多晶硅栅过程中,光刻浮胶可产生成像黑缺陷或导致信号电荷转移问题。最后,提出了减少光刻工艺产生浮胶的方法。
- 龙飞张故万吴可廖乃鏝李仁豪
- 关键词：CCD光刻
- CCD光刻图形缺陷的形成及消除措施
- 2014年
- 描述了CCD光刻过程中出现的常见缺陷及其分类。对光刻过程中缺陷产生的原因进行了分析,找出工艺设置和工艺操作过程中容易出现的问题;并针对各类缺陷,提出了相应的解决措施,以达到消除缺陷的目的,使工艺能力得到提升。
- 吴可雷仁方李佳
- 关键词：CCD光刻
