向珊
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：空军工程大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 重频光脉冲对半绝缘GaAs光导开关损伤分析被引量：2
- 2012年
- 通过波长为1 064 nm的重频激光光脉冲触发半绝缘GaAs光导开关损伤测试实验,观察脉冲激光触发过程中光电导开关电阻率的变化,对比低重频(<1 kHz)和高重频的激光脉冲对GaAs光电导开关芯片的损伤阈值,分析了不同重复频率的激光脉冲引起光导开关芯片材料光损伤的主要原因,并探讨了损伤机理。研究表明,在重复频率激光作用下GaAs光导开关芯片材料的破坏阈值比在单脉冲作用下低,且不同重复频率的激光辐照下材料表面的温升速率不同。当激励光脉冲重复频率较低(<1 kHz)时,芯片内的温升效应不显著,此时光损伤与重复频率无明显依赖关系,主要损伤机制为微损伤累积;而当重复频率较高时,开关材料内热积累引起的损伤占主要地位。
- 向珊戴慧莹施卫
- 关键词：半绝缘砷化镓重复频率损伤阈值
- 光电导开关非线性模式下光电延迟现象分析
- 2010年
- 报道了在高偏置电压下半绝缘GaAs光导开关进入非线性模式并产生光电延迟的实验结果。分析了非线性模式下光电延迟现象,指出半导体材料深能级杂质的俘获作用是产生光电延迟的主要原因;计算了由于电荷畴传输引起的光电延迟时间,得到与实验相吻合的结果。
- 戴慧莹向珊施卫
- 关键词：光导开关深能级杂质延迟时间
