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刘书宇

作品数:5 被引量:4H指数:2
供职机构:吉林师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”江苏省普通高校研究生科研创新计划项目更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇电池
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇有机太阳能电...
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇探测器
  • 2篇迁移率
  • 2篇紫外光探测器
  • 2篇响应度
  • 2篇光探测
  • 2篇光探测器
  • 2篇PCE
  • 1篇性能研究
  • 1篇有机小分子
  • 1篇能量转换
  • 1篇能量转换效率
  • 1篇配合物
  • 1篇小分子
  • 1篇混合层
  • 1篇分子
  • 1篇NPB

机构

  • 5篇吉林师范大学
  • 2篇江苏大学

作者

  • 5篇车广波
  • 5篇苏斌
  • 5篇刘书宇
  • 3篇刘春波
  • 2篇张欣馨
  • 2篇杜文强
  • 2篇郝梦
  • 2篇王博
  • 2篇王阳
  • 1篇刘敏
  • 1篇王龙
  • 1篇徐春辉
  • 1篇闫永胜
  • 1篇高林
  • 1篇朱恩伟

传媒

  • 3篇光电子.激光
  • 1篇化学世界
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
阴极缓冲层对m-MTDATA/BAlq有机紫外光探测器性能的影响被引量:2
2015年
制备了有机紫外光探测器(OUV-PD),器件结构为ITO/m-MTDATA(30nm)/m-MTDATA:BAlq(40-60nm,1∶1)/BAlq(40nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),并研究了施加Liq、TPBi、Bphen和Zn(4-MeBTZ)2为阴极缓冲层时对器件性能的影响。实验结果表明,OUV-PD光响应与阴极缓冲层厚度和电子传输性能紧密相关,在1.05mW/cm2的波长为365nm UV光照射下,响应度最大值分别达到218mA/W、247mA/W、305mA/W和283mA/W。
苏斌刘敏闫永胜朱恩伟刘书宇王阳高林车广波
关键词:响应度电子迁移率
基于MoO_3和Re-Bphen修饰有机太阳能电池性能的研究被引量:1
2015年
有机太阳能电池(OSCs)的性能与材料及器件结构密切相关。以MoO3为阳极缓冲层,有机金属配合物Re-Bphen为阴极缓冲层,制备了结构为ITO/MoO3/CuPc/C60/Re-Bphen/Al的OSCs。在标准太阳光照条件下,当MoO3和Re-Bphen的厚分别为5nm和8nm时实现了器件的最佳性能,能量转换效率(PCE)和器件寿命均显著提高。结合器件结构,分析了工作机制。
苏斌郝梦王龙车广波杜文强刘书宇王博
具有不同异质节结构有机小分子紫外光探测器研究进展
2016年
有机紫外光探测器应用前景广泛,与无机紫外光探测器相比具有制作简单、成本低、质量轻便于携带、可制成大面积器件或者柔性衬底等优点。有机小分子紫外光探测器活性界面结构主要分为平面异质节、体异质节和混合层平面异质节。按照不同异质节结构,综述了近年来有机小分子紫外光探测器的研究进展,以及不同结构的优缺点,并根据相关文献报道,对如何提高器件性能提出了相应的改进措施。
刘书宇王阳王博苏斌刘春波车广波
基于NPB和Bphen的有机紫外探测器件的性能研究
2015年
有机紫外光探测器(Organic Ultraviolet Photodetector,OUV-PD)因质量轻、柔性和成本低等优点已引起广泛关注。以m-MTDATA、NPB和Bphen分别为空穴注入层、给体和受体制备了OUV-PD。器件结构为:ITO/m-MTDATA/NPB/Bphen/LiF/Al,通过优化给受体层的厚度,实现了器件的最优性能。当NPB厚度为60nm、Bphen厚度为90nm时器件性能最佳,在光照强度为1.05mW/cm2、波长为365nm的紫外光照射下,最大响应度为131mA/W。同时,结合材料特点和器件结构讨论了工作机理。
苏斌张欣馨刘春波车广波刘书宇
关键词:NPB响应度
基于CuBB为阴极缓冲层有机太阳能电池性能的研究被引量:2
2014年
通过定向合成Cu(I)配合物,首次将其作为阴极缓冲层引入到有机太阳能电池(OSCs)中。实验分析发现,OSCs的光电能量转换效率(PCE)与CuBB层厚度紧密相关,在标准太阳光照条件下,结构为ITO/CuPc(20nm)/C60(40nm)/CuBB(x mm)/Al(100nm)的器件PCE随着CuBB厚度的增加先增大后变小,当厚为8nm时PCE达到0.94%。器件性能提高的原因主要是CuBB具有良好的电子迁移率,但厚度过大时则由于串联电阻增加及电子不能经阴极缓冲层传输而使性能降低。
苏斌张欣馨刘春波车广波杜文强郝梦刘书宇徐春辉
关键词:CU(I)配合物电子迁移率
共1页<1>
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