侯文龙
- 作品数:2 被引量:5H指数:2
- 供职机构:九江学院电子工程学院更多>>
- 发文基金:江西省教育厅科学技术研究项目更多>>
- 相关领域:一般工业技术更多>>
- Sn掺杂Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)薄膜材料的微结构及热电性能研究被引量:3
- 2011年
- 采用真空熔炼法合成(Bi1-xSnx)2Te2.7Se0.3合金,再通过热蒸发技术在473K玻璃基体上沉积了厚800 nm的Sn掺杂Bi2Te2.7Se0.3热电薄膜。利用X射线衍射技术对薄膜的相结构进行表征;采用表面粗糙度测量仪测定薄膜厚度;采用四探针法和温差电动势法分别测量薄膜的电阻率和Seebeck系数;采用薄膜的电阻率和Seebeck系数Sn掺杂浓度对(Bi1-xSnx)2Te2.7Se0.3薄膜热电性进行分析。结果表明,Sn掺杂浓度为0.003时,热电功率因子提高到12.8μW/K2.cm;Sn掺杂浓度从0.004增加到0.01,薄膜为P型半导体,热电功率因子减小。
- 江跃珍段兴凯宗崇文侯文龙
- 关键词:真空熔炼热蒸发热电性能
- 退火温度对Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)薄膜的微结构及热电性能的影响被引量:2
- 2011年
- 采用瞬间蒸发技术在温度为473 K的玻璃基体上沉积了厚度为800 nm的N型Bi2Te2.7Se0.3热电薄膜,并在373 K~573 K进行1小时的真空退火处理。利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和能量散射谱(EDS)分别对薄膜的物相结构、表面形貌以及化学计量比进行表征。采用表面粗糙度测量仪测定薄膜厚度,薄膜的电阻率采用四探针法在室温下进行测量,在室温下对薄膜的Seebeck系数进行表征。霍尔系数,电子浓度和迁移率在300 K用Van der Pauw方法进行测量。退火温度为473 K时,电阻率和Seebeck系数分别为2.7 mΩ.cm和?180μV/K,热电功率因子最大值为12μW/cmK2。
- 段兴凯江跃珍宗崇文侯文龙
- 关键词:退火温度热电薄膜热电性能