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黄军辉

作品数：3 被引量：10H指数：1
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文基金：国际科技合作与交流专项项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇抛光
  • 2篇硅片
  • 2篇300MM硅...
  • 1篇使用期
  • 1篇抛光垫
  • 1篇抛光技术
  • 1篇化学机械抛光
  • 1篇机械抛光
  • 1篇硅半导体
  • 1篇非均匀
  • 1篇非均匀性
  • 1篇半导体
  • 1篇SI
  • 1篇DSP
  • 1篇HAZE

机构

  • 3篇北京有色金属...

作者

  • 3篇库黎明
  • 3篇黄军辉
  • 2篇万关良
  • 2篇周旗钢
  • 2篇肖清华
  • 1篇盛方毓
  • 1篇索思卓
  • 1篇葛钟
  • 1篇阎志瑞
  • 1篇张国栋
  • 1篇陈海滨

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇稀有金属
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2007
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
抛光垫使用期对300mm Si片Haze值影响研究被引量：1
2008年
抛光垫是化学机械抛光(CMP)过程中重要的消耗材料之一。由于抛光垫与Si片直接接触,所以抛光垫的物理特性会直接影响到所加工Si片品质的优劣。通过研究不同使用时间的抛光垫结构以及所抛光Si片表面haze值,发现抛光Si片表面haze值在抛光垫使用前期逐渐减小,中期稳定缓慢升高,后期快速升高。从理论上系统地对结果进行了分析,充分证实了在CMP过程中,保持抛光垫特性的稳定对Si片表面质量具有非常重要的意义。
索思卓库黎明黄军辉葛钟陈海滨张国栋盛方毓阎志瑞
关键词：抛光垫化学机械抛光HAZE
300mm硅片双面抛光运动轨迹模拟和优化被引量：9
2007年
通过建立300 mm硅片双面化学机械抛光中硅片上定点相对于上下抛光垫的运动轨迹方程,分析了内外齿轮转速、抛光布转速对运动轨迹分布的影响,调整三者大小使得运动轨迹分布较均匀。实验证明运动轨迹路径长度与抛光去除厚度成正比关系,计算运动轨迹路径长度确定抛光垫的转速以达到上下表面具有相同的抛光速率。研究结果为300 mm硅片双面化学机械抛光找出优化工艺参数、提高硅片抛光后表面质量提供了理论依据。
黄军辉周旗钢万关良肖清华库黎明
关键词：非均匀性DSP
300mm硅片双面抛光运动轨迹模拟和分析
建立300mm硅片双面化学机械抛光中硅片上定点相对于上下抛光垫的运动轨迹方程，通过实验证明了运动轨迹路径长度与抛光去除厚度成正比关系，计算运动轨迹路径长度确定抛光垫的转速以达到上下表面具有相同的抛光速率。研究结果为300...
黄军辉肖清华库黎明周旗钢万关良
关键词：硅半导体抛光技术
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