提出了一种集成于射频芯片的低噪声、快速建立的低压差线性稳压器(LDO)。分析了传统LDO的主要噪声源,在综合考虑芯片的噪声、静态电流和面积后,采用超低频低通滤波器,对LDO的输出噪声进行优化。基于SMIC 0.18μm工艺,采用Cadence软件对电路进行仿真。结果表明,10 Hz到100 k Hz之间的输出积分噪声电压为17μV,建立时间小于18μs,总静态电流为24μA,满足LDO的应用要求。
分析了工作在亚阈值区、线性区和饱和区的MOS晶体管不同电流特性,设计了一种低功耗全MOS基准电压源电路。使用工作在线性区的MOS晶体管代替普通常规电阻,使整个电路实现全MOS基准源的特性,同时有效减小电路芯片面积,并且输出基准电压为线性区MOS管提供偏压以进一步降低功耗。基于SMIC 0.18μm CMOS工艺设计电路。仿真结果表明此电路在1.8 V电源电压下,–50^+150℃的温度系数为22.6×10–6/℃,基准电压源输出电压约为992 m V,25℃时静态电流为327.3 n A,电路总静态功耗为0.59μW,10 k Hz时的电源抑制比为–25.36 d B。
