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文献类型

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领域

  • 2篇电子电信

主题

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机构

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作者

  • 3篇罗卫军
  • 3篇孙朋朋
  • 3篇王琦
  • 2篇耿苗
  • 2篇张蓉
  • 2篇刘辉
  • 1篇刘新宇

传媒

  • 2篇半导体技术

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2016
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
X波段4 bit MMIC数字移相器的设计与实现被引量:3
2017年
基于WIN 0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并制备了一款X波段4 bit单片微波集成电路(MMIC)数字移相器。22.5°和45°移相单元采用开关滤波型拓扑结构,90°和180°移相单元采用高低通滤波型拓扑结构。对拓扑结构工作原理进行分析,并采用ADS2014软件完成电路的电磁仿真及优化。测试结果表明,该4 bit MMIC数字移相器获得了优良的宽带性能,且与仿真结果吻合良好。在8~13 GHz频带内,移相器的均方根(RMS)相位精度误差小于6.5°,插入损耗优于-6.8 dB,RMS插入损耗波动低于0.5 dB,输入回波损耗优于-13 dB,输出回波损耗优于-9.5 dB。该4 bit MMIC数字移相器在相对带宽为47%的X频段内性能优良,适用于有源相控阵雷达等通信系统中。
孙朋朋刘辉耿苗张蓉王琦罗卫军
关键词:数字移相器
数字移相器
本发明公开了一种数字移相器。该数字移相器包括:第一开关电路;第二开关电路;低通滤波电路,低通滤波电路的第一端与第一开关电路的第一端连接,低通滤波电路的第二端与第二开关电路的第一端连接;高通滤波电路,高通滤波电路的第一端与...
王琦罗卫军孙朋朋刘新宇
文献传递
X波段大相位高低通移相器MMIC的设计与实现被引量:3
2016年
基于WIN 0.25μm Ga As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,针对大相位移相器容易在宽带情形下出现的性能恶化问题,采用ADS2014仿真软件,成功设计并实现了两款大相位(90°和180°)的X波段(8-12 GHz)宽带数字移相器电路,其拓扑形式为高低通结构,并采用奇偶模分析方法,对高低通滤波网络进行分析。最终在片测试结果表明,其获得了优良的宽带性能,且与仿真结果相吻合。该设计90°移相器电路在频带内相位误差为-3.7°-0°,插入损耗优于2.15 d B,回波损耗优于19 d B;180°移相器电路在频带内相位精度为-6.2°-2°,插入损耗优于2.65 d B,回波损耗优于17 d B。该移相器在相对带宽为40%的X波段内取得良好的插入损耗与回波特性,适用于频带较宽的多位级联数字移相器中。
王琦孙朋朋张蓉耿苗刘辉罗卫军
关键词:数字移相器X波段
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