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王丽

作品数：1 被引量：6H指数：1
供职机构：中国国防科技信息中心更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇电路研究
  • 1篇内匹配
  • 1篇功率
  • 1篇SIC_ME...
  • 1篇大功率

机构

  • 1篇河北大学
  • 1篇专用集成电路...
  • 1篇中国国防科技...

作者

  • 1篇刘博宁
  • 1篇蔡树军
  • 1篇李亮
  • 1篇陈昊
  • 1篇默江辉
  • 1篇冯志红
  • 1篇王勇
  • 1篇王丽
  • 1篇何庆国

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
大功率SiC MESFET内匹配技术及测试电路研究被引量：6
2010年
采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,成功制作四胞合成大功率高增益SiCMESFET。优化了芯片装配形式,采用内匹配技术提高了器件输入、输出阻抗。优化了测试电路结构,成功消除了输入信号对栅极偏置电压的影响,提高了电路稳定性。四胞器件在脉宽为300μs、占空比为10%脉冲测试时,2 GHzVds=50 V脉冲输出功率为129 W(51.1 dBm),线性增益为13.0 dB,功率附加效率为31.4%。
默江辉王丽刘博宁李亮王勇陈昊冯志红何庆国蔡树军
关键词：内匹配大功率
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