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导电ATO@TiO_2纳米晶须的制备工艺优化研究被引量：2: 2016年; 采用正交试验法对导电ATO@TiO_2纳米晶须的合成工艺进行了优化。通过改变包覆比(Sn/Ti)、掺杂比(Sb/Sn)、反应pH值3大影响因素,结合反应产物的测试表征,得到了试验范围内最优的合成条件为,包覆比(Sn/Ti为25%(at,原子质量分数,下同),掺杂比Sb/Sn为7.5%,pH=2,导电ATO@TiO_2纳米晶须的平均表面电阻率值达到13.25kΩ·cm。将最佳合成条件下的导电ATO@TiO_2纳米晶须掺杂在3β-羟基丁酸酯(3HB)和4β-羟基丁酸酯(4HB)的共聚物(P3HB4HB)的氯仿溶液中进行干湿法纺丝,获得了白色弹性导电P3HB4HB纤维。; 高强马慧刘婉婉汪江葛明桥; 关键词：包覆表面电阻率

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汪江