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旋涂法制备KDP晶体减反膜被引量：1: 2013年; 对KDP晶体旋转涂膜过程中的技术问题进行了探讨，包括元件夹持安全性、膜层均匀性、膜层透射比、膜层疏水性能、膜层激光损伤阈值等。分析了晶体元件加速旋转阶段的受力情况，明确了KDP晶体元件在旋涂操作过程中受力状态的安全性。对不同溶剂体系的膜层均匀性进行了判断，在400mm尺寸的元件上获得了透射比均匀性为0．3％的减反膜。对溶胶进行稳态剪切流变分析得知，在现有的涂膜转速（对应剪切速率100～200s^-1）范围内，其粘度随着剪切速率的增加几乎不变，近似牛顿流体。在旋涂过程中，处于基底不同位置的溶胶的粘度大致相等，这是影响膜层均匀性的重要原因之一。膜层疏水性能较好，水接触角测试结果大于152°。在SiO2基底上制备的减反膜，1053nm处透射比大于99．8％。在熔石英基片上制备的三倍频减反膜样品的激光损伤闽值约为10J/cm^2（355nm，3ns）。; 杨伟惠浩浩马红菊李文林雷向阳张清华; 关键词：KDP晶体溶胶-凝胶减反膜

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李文林