李哲
- 作品数：17 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信经济管理更多>>
- 一种碳化硅外延生长的喷淋装置及碳化硅生长工艺方法
- 本发明涉及一种碳化硅外延生长的喷淋装置及碳化硅生长工艺方法，包括：喷头，以及位于喷头下方的衬底托，所述喷头和所述衬底托均采用石墨材料制成，所述喷头上方连通进气通道，所述喷头的至少部分在沿所述进气通道的进气方向上具有逐渐扩...
- 鞠涛张立国李哲范亚明张泽洪张宝顺
- 文献传递
- 石墨涂层对控制碳化硅外延掺杂的影响研究
- 2016年
- 碳化硅同质外延过程中,反应室杂质浓度是外延片背景载流子浓度的决定因素。反应室内石墨部件外层进行碳化钽涂层处理,极大降低了反应室内的杂质浓度。目前对于涂层影响碳化硅外延掺杂浓度具体的定量研究,一直没有具体的数据。采用自主研发的碳化硅外延设备,在完好和破损的涂层石墨部件条件下进行碳化硅同质外延生长,分析相应的外延片背景载流子浓度,从而得到碳化硅外延掺杂浓度的具体定量数据,并对设备研发和使用过程中的掺杂浓度的变化规律进行分析,从而积累了对于实际科研和生产过程中的问题的具体指导经验。
- 鞠涛李哲钮应喜王嘉铭张立国范亚明杨霏张泽洪张宝顺
- 关键词：载流子浓度
- 4H-SiC氯基体系外延研究被引量：1
- 2016年
- 化学气相沉积法（chemical vapor deposition,CVD）外延碳化硅是其面向高频率及大功率器件应用的关键技术,而传统的无氯体系4H-SiC外延生长速率只能达到5~10μm/h。采用氯基生长工艺,在自主研发的热壁CVD系统中在20μm/h生长速率的条件下外延表面没有硅滴缺陷;研究C/Si比与生长温度对氯基体系外延表面粗糙度的影响,在优化条件下可实现表面粗糙度R_a=0.175 nm;探讨C/Si比对外延层背地掺杂浓度的影响。在所做研究基础上,可期待通过进一步工作以同时实现低的背底掺杂及低的表面粗糙度。
- 李哲鞠涛钮应喜王嘉铭张立国范亚明杨霏张泽洪张宝顺
- 关键词：碳化硅化学气相沉积氯基
- 4H-SiC光子晶体微谐振腔及其制备方法
- 本发明揭示了4H‑SiC光子晶体微谐振腔及其制备方法，其中4H‑SiC光子晶体微谐振腔，至少包括4H‑SiC层，所述4H‑SiC层具有呈图案化分布的孔，所述4H‑SiC层的上方及下方均为空气环境，所述4H‑SiC光子晶体...
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- 气相沉积炉的均匀供气装置及气相沉积炉
- 本发明揭示了气相沉积炉的均匀供气装置及气相沉积炉，气相沉积炉的均匀供气装置，包括至少一条呈T字形的匀气管路，所述匀气管路的出气孔的朝向与反应气体的上升方向相反且背向工件。本发明设计精巧，通过设置出气孔的朝向，能够使反应气...
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- 文献传递
- 一种高温CVD设备
- 本发明涉及一种高温CVD设备，包括：设有内层侧壁与外层侧壁的双层侧壁，以及分别设置在所述双层侧壁两端的盖体，其特征在于，所述双层侧壁周向设有基准法兰，所述基准法兰沿所述双层侧壁轴向固定限位至少一端的所述盖体。所述盖体包括...
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- 文献传递
- 外延生长碳化硅-石墨烯薄膜的制备及表征研究被引量：5
- 2015年
- 石墨烯作为一种碳原子所组成的二维蜂窝状结构晶体，具有诸多优异的特性，从而倍受全世界科学工作者的关注。在碳化硅衬底上外延生长石墨烯是实现石墨烯在微电子领域中应用的最有效途径之一。利用感应加热的高温 CVD 设备，先在4H-SiC 衬底上外延生长一层2～10μm 厚的碳化硅，然后直接再在外延碳化硅上原位外延生长石墨烯。实现外延碳化硅-石墨烯的连续生长，从而减少氢气刻蚀带来的晶格缺陷和表面硅富集严重削减现象，并使低成本制备碳化硅上的石墨烯成为可能。通过拉曼光谱、扫描电子显微镜及 X 射线光电子能谱等表征，验证了该方法生长的石墨烯具有较好的晶体质量。
- 张学敏张立国钮应喜鞠涛李哲范亚明杨霏张泽洪张宝顺
- 关键词：石墨烯碳化硅晶体质量
- 一种碳化硅外延生长的喷淋装置及碳化硅生长工艺方法
- 本发明涉及一种碳化硅外延生长的喷淋装置及碳化硅生长工艺方法，包括：喷头，以及位于喷头下方的衬底托，所述喷头和所述衬底托均采用石墨材料制成，所述喷头上方连通进气通道，所述喷头的至少部分在沿所述进气通道的进气方向上具有逐渐扩...
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- 文献传递
- 石墨托以及装有石墨托的晶体生长炉
- 本发明涉及一种石墨托以及装有石墨托的晶体生长炉，所述石墨托为中部截面直径小于两端截面直径的回转体结构。所述晶体生长炉，包括：位于反应室内的石墨托，以及设置在所述反应室周向的加热装置，其特征在于，所述石墨托为中部截面直径小...
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- 文献传递
- 掺杂源供应管路及化学气相沉积系统
- 本发明揭示了掺杂源供应管路及化学气相沉积系统，掺杂源供应管路包括载气源以及用于盛装有机金属源的水浴系统，还包括载气输送管路，连接所述载气和水浴系统，以将载气通入到有机金属源内；有机金属源气体输送管路，使水浴系统与反应腔及...
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- 文献传递
