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季春花

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：上海交通大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇化学工程

主题

  • 3篇电镀
  • 3篇电镀液
  • 3篇镀液
  • 3篇铜互连
  • 3篇氯离子
  • 3篇互连
  • 2篇TSV
  • 1篇深孔
  • 1篇通孔
  • 1篇磺酸
  • 1篇甲基磺酸
  • 1篇甲基磺酸盐
  • 1篇硅
  • 1篇C1
  • 1篇CL

机构

  • 3篇上海交通大学

作者

  • 3篇曹海勇
  • 3篇毛大立
  • 3篇凌惠琴
  • 3篇季春花
  • 3篇李明

传媒

  • 1篇电镀与涂饰

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
硅通孔铜互连甲基磺酸铜电镀液中氯离子的作用被引量：1
2012年
研究了硅通孔(TSV)镀铜用甲基磺酸铜高速镀液(由Cu(CH3SO3)240g/L、甲基磺酸60g/L及Cl-50mg/L组成)中氯离子的作用机理。采用旋转圆盘电极研究了不同扩散条件下Cl-的作用效果,并采用电化学阻抗谱(EIS)和电子顺磁共振(EPR)探讨了Cl-在铜电化学沉积中的影响机制和对Cu+配位场的影响。结果表明:在深孔内扩散控制条件下,Cl-对铜沉积有明显的加速作用;在表面非扩散控制区域,尤其是高电流密度区,Cl-具有一定的抑制效果。因此,Cl-的存在有利于改善TSV深孔镀铜填充效果,提高填充速率。
季春花凌惠琴曹海勇李明毛大立
关键词：铜互连电镀氯离子甲基磺酸盐
TSV铜互连甲基磺酸铜电镀液中Cl-的作用
TSV叠层式电子封装是今后三维封装重点发展的一种封装技术，其关键技术之一是TSV硅孔镀铜填充技术。本研究针对TSV硅孔镀铜用甲基磺酸铜高速镀液中CT的作用及机理展开了系统研究。利用旋转圆盘电极研究了不同扩散条件下Cl-的...
季春花凌惠琴曹海勇李明毛大立
关键词：氯离子
TSV铜互连甲基磺酸铜电镀液中C1-的作用
TSV叠层式电子封装是今后三维封装重点发展的一种封装技术,其关键技术之一是TSV硅孔镀铜填充技术。本研究针对TSV硅孔镀铜用甲基磺酸铜高速镀液中Cl的作用及机理展开了系统研究。利用旋转圆盘电极研究了不同扩散条件下Cl的作...
季春花凌惠琴曹海勇李明毛大立
关键词：TSV铜互连电镀氯离子
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