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孔月婵

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：微波毫米波单片集成和模块电路国家级 重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”江苏高校优势学科建设工程资助项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电极
  • 1篇电极材料
  • 1篇电子学
  • 1篇新型电极材料
  • 1篇氧化铟
  • 1篇氧化铟锡
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇模型分析
  • 1篇光电
  • 1篇光电子
  • 1篇光电子学
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇HEMT
  • 1篇LED
  • 1篇表面势
  • 1篇泊松
  • 1篇泊松方程

机构

  • 2篇微波毫米波单...
  • 1篇南京大学
  • 1篇杭州电子科技...

作者

  • 2篇陈辰
  • 2篇孔月婵
  • 1篇谢自力
  • 1篇孙玲玲
  • 1篇张荣
  • 1篇陈鹏
  • 1篇吴才川
  • 1篇韩平
  • 1篇修向前
  • 1篇刘军
  • 1篇刘斌
  • 1篇陈磊
  • 1篇吕彬义

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇激光与光电子...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2010
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
新型电极材料石墨烯在LED中的应用被引量：2
2013年
石墨烯具有独特的力学、热学和光电学性能,良好的热稳定性与化学稳定性,是制备高性能导电薄膜的理想材料之一。主要介绍了石墨烯薄膜的制备和表征技术以及石墨烯导电薄膜作为电极应用在GaN基LED中的研究进展和存在的问题,并对石墨烯电极的应用前景进行了展望。
吴才川刘斌谢自力修向前陈鹏韩平张荣孔月婵陈辰
关键词：光电子学石墨烯氧化铟锡发光二极管
基于表面势的HEMT模型分析被引量：1
2010年
将表面势的概念引入GaAs高电子迁移率晶体管器件结构,以建立可精确描述HEMT器件输入/出特性的新模型。通过分析最基本的HEMT结构,参考Si基MOSFET中Pao-sah模型的分析方法,对沟道电荷利用泊松方程表述,并结合能带电压关系,建立HEMT器件中表面势(Φ_s)对于栅压(V_(GS))的关系。基于上述分析计算了沟道中电子的饱和点。根据推导所得方程,模型计算得到的某具体器件沟道面电荷密度(n_s)-栅压(V_(GS))关系曲线和基于T-CAD工具仿真结果在线性区得到很好的吻合。
吕彬义孙玲玲孔月婵陈辰刘军陈磊
关键词：表面势泊松方程
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