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唐方圆

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：四川大学物理科学与技术学院辐射物理及技术教育部重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金辐射物理及技术教育部重点实验室开放课题基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电子辐照
  • 1篇正电子
  • 1篇正电子湮没
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇GASB

机构

  • 1篇四川大学
  • 1篇武汉大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇赵有文
  • 1篇王柱
  • 1篇邵云东
  • 1篇唐方圆

传媒

  • 1篇武汉大学学报...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷被引量：2
2006年
用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品.揭示出原生未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷,具有284 ps左右的寿命值.电子辐照能使这种缺陷的浓度增大,使平均寿命值从辐照前的265 ps增大到辐照后的268 ps.低温符合多普勒展宽实验结果表明退火后的电子辐照过的原生未掺杂GaSb样品中仍然存在反位缺陷GaSb.掺Zn、Te样品的实验也证实电子辐照在GaSb样品中会引入VGa,284 ps类型的缺陷.
邵云东王柱赵有文唐方圆
关键词：GASB正电子湮没电子辐照
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