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唐方圆
作品数:
1
被引量:2
H指数:1
供职机构:
四川大学物理科学与技术学院辐射物理及技术教育部重点实验室
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发文基金:
国家自然科学基金
辐射物理及技术教育部重点实验室开放课题基金
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相关领域:
理学
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合作作者
邵云东
武汉大学物理科学与技术学院
王柱
武汉大学物理科学与技术学院
赵有文
中国科学院半导体研究所
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武汉大学学报...
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2006
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用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷
被引量:2
2006年
用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品.揭示出原生未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷,具有284 ps左右的寿命值.电子辐照能使这种缺陷的浓度增大,使平均寿命值从辐照前的265 ps增大到辐照后的268 ps.低温符合多普勒展宽实验结果表明退火后的电子辐照过的原生未掺杂GaSb样品中仍然存在反位缺陷GaSb.掺Zn、Te样品的实验也证实电子辐照在GaSb样品中会引入VGa,284 ps类型的缺陷.
邵云东
王柱
赵有文
唐方圆
关键词:
GASB
正电子湮没
电子辐照
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