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徐晓东

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：上海交通大学微电子学院更多>>
发文基金：上海市浦江人才计划项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电子束直写
  • 1篇紫外线
  • 1篇光刻
  • 1篇光刻技术
  • 1篇分辨率增强技...

机构

  • 1篇上海交通大学

作者

  • 1篇汪辉
  • 1篇徐晓东

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
亚65nm及以下节点的光刻技术被引量：4
2007年
由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术。配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术还可能扩展到32 nm节点,但是光刻成本会成倍增长,成品率会下降。随着ASML在2006年推出全球第一款EUV曝光设备,人们纷纷看好EUV技术应用到32 nm及以下节点,但是它仍需克服很多技术和经济上的挑战。对于22 nm节点,电子束直写是最可行,成本最低的候选方案,业界将在它与EUV技术之间做出抉择。
徐晓东汪辉
关键词：电子束直写分辨率增强技术
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共1页<1>
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