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黄勇

作品数：39 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 36篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 31篇红外
  • 30篇电极
  • 28篇红外探测
  • 27篇探测器
  • 27篇红外探测器
  • 22篇晶格
  • 20篇超晶格
  • 18篇势垒
  • 18篇势垒层
  • 17篇衬底
  • 10篇锑化物
  • 8篇暗电流
  • 6篇空穴
  • 4篇电学隔离
  • 4篇异质结
  • 4篇制作方法
  • 4篇隧道结
  • 4篇刻蚀
  • 4篇二极管
  • 4篇半导体

机构

  • 39篇中国科学院
  • 1篇上海科技大学
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 39篇黄勇
  • 30篇赵宇
  • 23篇熊敏
  • 4篇杨辉
  • 1篇谢辉
  • 1篇朱虹
  • 1篇赵有文
  • 1篇张宝顺
  • 1篇董旭
  • 1篇王应利
  • 1篇赵迎春
  • 1篇刘振
  • 1篇王俊
  • 1篇刘振

传媒

  • 2篇红外与毫米波...

年份

  • 7篇2022
  • 9篇2021
  • 8篇2020
  • 8篇2019
  • 2篇2018
  • 5篇2017
共 39 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
红外探测器及其制备方法
本发明提供一种红外探测器及其制备方法，所述红外探测器包括衬底、第一电极、多个第二电极及从下而上依次设置于衬底上的吸收层、第一势垒层、第二势垒层，第一电极与衬底连接，第二势垒层包括阵列设置的多个半导体层，多个半导体层与多个...
黄勇熊敏赵宇吴启花
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半导体发光单元及级联型中红外光发光二极管
本发明公开了一种半导体发光单元及级联型中红外光发光二极管，半导体发光单元包括依序叠层的空穴势垒层、有源层和电子势垒层，空穴势垒层和电子势垒层的有效带宽分别大于有源层的有效带宽，空穴势垒层和有源层的导带相互平齐且价带形成势...
朱赫赵宇吴启花黄勇
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红外探测器及其制备方法
本发明提供一种红外探测器及其制备方法，所述红外探测器包括衬底、第一电极、第二电极及从下而上依次设置于所述衬底上的接触层、空穴势垒层、吸收层、电子势垒层，所述第一电极与所述接触层连接，所述第二电极与所述电子势垒层连接，所述...
黄勇赵宇熊敏吴启花
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红外探测器及其制备方法
本发明公开了一种红外探测器，包括：N型衬底；探测部，设置于所述N型衬底上，所述探测部包括多个叠层设置的探测单元；上电极，设置于所述探测部上；下电极，设置于所述N型衬底上。其中，所述探测单元包括N型接触层，以及依序叠层设置...
黄勇赵宇吴启花
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红外探测器及其制作方法
本发明公开了一种红外探测器的制作方法，该制作方法包括：在N型衬底上形成探测器台面，探测器台面包括依序层叠形成在N型衬底上的N型InAsP/InAsSb超晶格吸收层、InPSb势垒层和N型InAsP/InAsSb超晶格接触...
赵宇吴启花黄勇熊敏
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红外探测器及其制作方法
本发明公开了一种红外探测器及其制作方法。该制作方法包括：提供N型衬底；在所述N型衬底上生长形成探测器外延层；对所述探测器外延层进行选择性刻蚀以形成台面侧壁；在所述台面侧壁上形成介质层；在所述介质层上形成悬空电极；在所述N...
黄勇赵宇吴启花
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InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的MOCVD生长和制备
锑化物InAs/GaSb二类超晶格探测器是继碲镉汞红外探测器,量子阱红外探测器之后兴起的高性能制冷型红外探测器,具有暗电流小、俄歇复合率低、波长调节范围大等优点.目前国内外的InAs/GaSb二类超晶格探测器均用MBE生...
黄勇吴启花赵宇熊敏赵迎春董旭张宝顺
关键词：红外探测器气相外延生长晶格结构性能表征
平面结构的锑化物二类超晶格红外探测器及其制备方法
本发明公开了一种平面结构的锑化物二类超晶格红外探测器，其包括沿设定方向依次分布的下电极、InAs/GaSb或InAs/InAsSb超晶格吸收层、InAs/GaSb超晶格或GaSb或GaAsSb接触层以及上电极，并且于所述...
黄勇熊敏
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红外探测器及其制备方法
本发明提供一种红外探测器及其制备方法，所述红外探测器包括衬底、第一电极、多个第二电极及从下而上依次设置于衬底上的吸收层、第一势垒层、第二势垒层，第一电极与衬底连接，第二势垒层包括阵列设置的多个半导体层，多个半导体层与多个...
黄勇熊敏赵宇吴启花
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平面结构的锑化物二类超晶格红外探测器及其制备方法
本发明公开了一种平面结构的锑化物二类超晶格红外探测器，其包括沿设定方向依次分布的下电极、InAs/GaSb或InAs/InAsSb超晶格吸收层、InAs/GaSb超晶格或GaSb或GaAsSb接触层以及上电极，并且于所述...
黄勇熊敏
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