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溅射功率对Fe_(81)Ga_(19)薄膜结构和磁性的影响: 2017年; 采用射频磁控溅射技术在Sr Ti O_3(100)衬底上制备Fe_(81)Ga_(19)薄膜。利用XRD、AFM和VSM表征了Fe_(81)Ga_(19)薄膜的生长取向、内应力、表面形貌和磁性,研究了不同溅射功率(60~100 W)对Fe_(81)Ga_(19)薄膜结构和磁性能的影响。结果表明,所有薄膜主要以A_2相和L1_2相存在。随着溅射功率的增大,A_2相衍射峰的强度缓慢降低,内应力显著增加,表面粗糙度降低,薄膜的剩余磁化强度和饱和磁化强度明显减小,而矫顽力保持不变,都为50 Oe。; 马亚茹曹梦雄王兴宇马春林周卫平谭伟石; 关键词：溅射功率微观结构磁性

γ射线辐照对MgO单晶的点缺陷组态及磁性的影响: 2016年; 对(100)取向的MgO单晶进行了不同剂量的60Coγ射线辐照,辐照剂量从30 kGy到1 750 kGy。利用同步辐射漫散射技术以及紫外-可见吸收光谱研究了辐照样品的点缺陷情况,并将实验测量的漫散射结果与理论计算结果进行比对,以获得点缺陷组态的信息。利用超导量子干涉仪(Superconducting Quantum Interference Device,SQUID)测量了样品在不同温度下的磁性质。漫散射和吸收光谱的实验结果表明,经γ射线辐照的MgO单晶产生了阴离子弗伦克尔缺陷,并在室温下没有表现出铁磁性,只是在低温下观察到了顺磁信号,且辐照前后样品在零场冷却和加场冷却下的M-T曲线没有变化,说明阴离子空位没有导致MgO的d0铁磁性。; 曹梦雄马亚茹樊聪俐王兴宇刘昊王海欧周卫平马春林谭伟石; 关键词：Γ射线辐照点缺陷漫散射

点缺陷引起中子辐照MgO(110)单晶的铁磁性（英文）: 2018年; 对Mg O(110)单晶进行中子辐照,辐照剂量从1.0×10^(16)到1.0×10^(20) cm^(-2)。基于黄昆漫散射理论,我们计算了Mg O晶体中的立方缺陷和偶极力缺陷引起的X射线漫散射强度分布图。通过X射线漫散射及紫外-可见光(UV-Vis)吸收光谱实验表征了晶体的点缺陷组态,并利用超导量子干涉仪(SQUID)测量了样品的磁性。ω–2θ和摇摆曲线说明Mg O单晶经中子辐照后产生了晶格畸变,晶体中存在一定浓度的点缺陷。倒易空间图(RSM)显示中子辐照的Mg O单晶存在漫散射现象。与计算得到的漫散射分布图对比分析可知,中子辐照的Mg O(110)单晶中产生了弗仑克尔缺陷。UV-Vis吸收光谱表明所有辐照晶体中存在阴离子单空位缺陷。辐照剂量较高(1.0×10^(19)和1.0×10^(20) cm^(-2))的样品中存在O空位的聚集。磁性测量显示中子辐照后的Mg O(110)单晶在室温下依然是抗磁性,但在低温下具有铁磁性,最大饱和磁化强度达到0.058 emu·g^(-1)。通过中子辐照的方法,可以使Mg O(110)单晶产生点缺陷引起的低温铁磁性。利用F色心交换机制可以解释中子辐照Mg O晶体中的O空位缺陷与铁磁性之间的关系。; 曹梦雄王兴宇马亚茹马春林周卫平王晓雄王海欧谭伟石; 关键词：中子辐照点缺陷 RSM

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马亚茹