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杨冬平

作品数：1 被引量：8H指数：1
供职机构：南京航空航天大学自动化学院更多>>
发文基金：中国航空科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇短路
  • 1篇短路保护
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇栅压
  • 1篇驱动电路
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇功率控制器
  • 1篇固态功率控制...
  • 1篇半导体
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应管

机构

  • 1篇南京航空航天...

作者

  • 1篇江登宇
  • 1篇王莉
  • 1篇杨冬平

传媒

  • 1篇电力系统及其...

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
降栅压技术在MOSFET驱动中的应用被引量：8
2010年
为在短路发生时有效保护金属氧化物半导体场效应管(metal oxide semiconductor field effect transistor),在60V/10A固态功率控制器的驱动电路中,设计降栅压短路保护。通过与MOSFET反串的二极管检测短路故障,一旦发生短路,启动短路保护电路,快速降低MOSFET栅源极电压至其开启电压附近,以增大MOSFET漏源极电阻并使其可控,设计电容放电时间,即可按一定速度关断功率管。仿真和实验结果表明,降栅压短路保护技术能在短路发生时迅速关断MOSFET并在关断过程中起到限流、抑制di/dt、增强抗干扰的作用。
杨冬平王莉江登宇
关键词：金属氧化物半导体场效应管固态功率控制器短路保护驱动电路
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