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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇隧穿
  • 1篇共振隧穿
  • 1篇共振隧穿二极...
  • 1篇二极管
  • 1篇I-V特性
  • 1篇变温

机构

  • 1篇天津大学

作者

  • 1篇王伊钿
  • 1篇郭维廉
  • 1篇毛陆虹
  • 1篇张世林
  • 1篇管坤
  • 1篇张莉莉

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2013
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
共振隧穿二极管I-V特性变温模型的建立被引量:1
2013年
首先采用基于物理参数的I-V方程RTD模型,利用Matlab软件对300K下的共振隧穿二极管(RTD)I-V特性数据拟合,建立一定温度下的物理参数I-V方程RTD模型。然后在此基础上,针对150~350K温度范围内RTD I-V特性数据,利用Matlab软件拟合得到不同温度下的拟合参数,通过分析拟合参数与温度的关系,初步建立了RTD的I-V特性变温模型。
张莉莉张世林郭维廉毛陆虹王伊钿管坤
关键词:共振隧穿二极管
共1页<1>
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