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张准

作品数:2 被引量:9H指数:2
供职机构:深圳大学光电工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金深圳市科技计划项目更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇单粒子
  • 1篇电荷
  • 1篇电荷收集
  • 1篇硬件
  • 1篇硬件实现
  • 1篇瞬态
  • 1篇瞬态效应
  • 1篇通量
  • 1篇基于FPGA
  • 1篇寄生
  • 1篇加密
  • 1篇加密系统
  • 1篇AES算法
  • 1篇CMOS器件
  • 1篇IP核

机构

  • 2篇深圳大学

作者

  • 2篇张准
  • 2篇王坤
  • 1篇贺威
  • 1篇龚向东
  • 1篇曹建民
  • 1篇王佳

传媒

  • 1篇微电子学
  • 1篇电子设计工程

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
基于FPGA的AES算法硬件实现优化及IP核应用被引量:7
2017年
根据AES算法的特点,从3方面对算法硬件实现进行改进:列混合部分使用查找表代替矩阵变换,降低算法实现的运算复杂度,采用流水线结构优化关键路径-密钥拓展,提升加密速度,利用FPGA定制RAM(BRAM)预存查找表进一步提升加密速度。优化后的AES算法在Virtex-6xc6vlx240T(速度等级-3)FPGA上实现,结果发现,AES算法共占用1 139个Slice,最大频率达到443.99 MHz,通量达到56.83 Gbit/s,效率达到49.89(Mbit/s)/Slice;然后,对AES算法进行接口逻辑声明,将优化后AES算法封装成自定制IP核;最后,采用基于NIOS II的SOPC技术,构建了一个嵌入式AES算法加密系统,实现了数据通信中的高速加密。
龚向东王佳张准王坤
关键词:通量加密系统
双阱CMOS器件单粒子瞬态效应机理研究被引量:2
2018年
介绍了一种65nm双阱CMOS工艺设计的六管SRAM单元的抗辐射性能。通过三维有限元数值模拟的方法,分析了SRAM单元的单粒子瞬态效应在NMOS管中的电荷收集过程和瞬态脉冲电流的组成部分,并提出一种高拟合度的临界电荷计算方案。双阱器件共享电荷诱发的寄生双极放大效应对相邻PMOS管的稳定性有着显著的影响,高线性能量传输提高了器件单粒子翻转的敏感性。电学特性表明,全三维器件数值仿真的方法能够有效评估因内建电势突变产生的瞬态脉冲电流。该方法满足器件仿真对精确度的要求。
张准贺威骆盛贺凌翔曹建民刘毅王坤
关键词:电荷收集
共1页<1>
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