张世玉
- 作品数：6 被引量：10H指数：2
- 供职机构：鲁东大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金山东省高等学校科技计划项目鲁东大学校基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 应用L-MBE方法制备ZnO薄膜的结构和光学特性被引量：1
- 2010年
- 用激光分子束外延(Laser Molecular Beam Epitaxy,L-MBE)设备在p型Si(111)衬底上制备了不同衬底温度和不同氧压的ZnO薄膜,用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)分别对薄膜的结构和形貌进行了分析,用He-Cd激光(325nm)激发的光致发光测试系统对薄膜进行了荧光光谱分析。研究发现,在衬底温度为400℃,氧压1Pa左右所制备的ZnO薄膜表面比较均匀致密,晶粒生长较充分,有较高的结晶质量和发光强度。ZnO薄膜的近带边发射与薄膜的结晶质量和化学配比均有关系。
- 张世玉李清山张立春李平马自侠张志峰
- 关键词：激光分子束外延ZNO薄膜结构特性光致发光
- ZnO/PS复合体系的白光发射及机制研究
- 利用脉冲激光沉积的方法在多孔硅(PS)衬底上沉积ZnO薄膜,并在室温下测量了ZnO/PS异质结的结构和光学性质.X射线衍射仪和扫描电子显微镜测量表明,在PS衬底上制备的ZnO薄膜具有一定的c轴取向,但薄膜存在较多的缺陷....
- 张世玉李清山李平马自侠
- 有机-无机复合薄膜电致发光器件中势垒对光电性能的影响被引量：6
- 2012年
- 利用无机非晶SiO2与有机聚合物PPV复合制备了异质结器件,研究了不同层之间由于能级匹配而产生的势垒对整个器件的光电性能的影响。对于单层有机器件ITO/PPV/Al及双层有机无机复合器件ITO/PPV/SiO2/Al,空穴的注入取决于ITO/PPV界面的势垒,空穴是多数载流子,发光强度主要取决于电子的注入。单层器件电子的注入能力与PPV/Al界面的势垒有关;双层器件由于引进SiO2层,提高了电子的注入能力,其发光强度和发光效率较单层器件都有改善。对于3层有机-无机复合器件ITO/SiO2/PPV/SiO2/Al,在两个方向上电子注入的势垒不同,电子的注入能力有所差别,交流激发时,当Al电极为负(ITO为正)时,器件的最大瞬时发光强度是当ITO电极为负(Al为正)时最大瞬时发光强度的1.3倍。
- 曲崇徐征张世玉冯贞健田丽杰
- 关键词：有机-无机复合势垒发光强度发光效率
- 氧等离子体环境下退火温度和时间对多孔硅发光特性的影响
- 2011年
- 多孔硅(porous silicon,PS)样品在氧等离子体环境中退火,探究了退火温度和时间对PS光学特性的影响,通过光致发光(photoluminescence,PL)光谱和傅里叶变换红外光谱对样品进行了分析.高斯拟合结果显示样品的PL谱由三个中心峰位分别在2.16,2.06和1.95 eV的高斯峰叠加而成,样品在200℃退火10—180 min后,峰位在2.16 eV高斯峰的发光强度增强,同时峰位在2.06和1.95 eV的高斯峰发光强度逐渐减小直至最终消失.随退火时间的延长,多孔硅的纳米结晶硅颗粒尺寸减小,180 min退火时间下,硅颗粒尺寸减小了0.1—0.45 nm;样品在100℃—600℃退火后,PL谱强度呈减弱趋势,600℃退火后,PL谱淬灭.
- 李平李清山张世玉马自侠张志峰
- 关键词：多孔硅退火量子限制效应
- ZnO纳米结构/多孔硅复合体系的结构和发光特性研究被引量：1
- 2011年
- 利用脉冲激光沉积的方法分别在硅片和多孔硅衬底上沉积ZnO薄膜作为种子层,随后用溶液法生长了ZnO纳米棒,考察了衬底对纳米棒结构和发光性能的影响.XRD和SEM测量表明,制备的ZnO纳米棒为六角纤锌矿结构,有较好的c轴择优生长趋势,ZnO纳米棒顶端为平顶状.不同衬底生长ZnO纳米棒阵列的结构有很大差异.光致发光谱显示,多孔硅的橙红光和ZnO的发光叠加在一起,ZnO纳米结构/多孔硅复合体系在可见光区有很强的光致发光现象.
- 张世玉李清山李平马自侠
- 关键词：多孔硅ZNO薄膜ZNO纳米棒白光发射
- 氧等离子环境下影响多孔硅光学特性的因素被引量：2
- 2011年
- 研究了多孔硅(porous silicon,PS)在氧等离子体环境中退火温度和存储时间对PS光学稳定性的影响。通过光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外光谱对系列样品进行分析。高斯拟合结果显示PL谱由三个高斯峰叠加而成,其中至少两个高斯峰是由非量子限制效应造成的,即第一峰面积的变化与Si=O双键密切相关,第三峰面积的变化与Si-O-Si桥键以及SiHx(x=1,2)键有关;退火温度对以上两个峰的强弱变化有直接影响。
- 李平李清山张世玉马自侠
- 关键词：多孔硅
