张彩虹
- 作品数：7 被引量：10H指数：2
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- 溅射功率对AlN薄膜结构形貌的影响被引量：5
- 2012年
- 采用直流反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了AlN薄膜,利用X线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)对不同溅射功率下制备的AlN薄膜的结构及形貌进行了分析表征。结果表明:在一定范围内,随着溅射功率的增大,薄膜厚度增加,晶粒逐渐长大,表面粗糙度也随之增大;AlN(002)择优取向改善明显,120W时达到最佳。
- 高扬许绍俊谌青青孟祥钦张彩虹文忠杨涛杨成韬
- 关键词：ALN薄膜溅射功率形貌
- 应力对厚30nm的FeCoSiB薄膜影响的微磁模拟被引量：1
- 2012年
- 从微磁学理论出发,建立了单轴应力作用下的等效模型;利用美国国家标准技术协会(NIST)开发的微磁学软件OOMMF,从理论上研究应力对厚30nm的FeCoSiB非晶磁弹性薄膜图形化单元磁畴、剩磁、矫顽力等磁性特性的影响。结果表明,FeCoSiB非晶磁弹性薄膜的磁矩分布随应力的变化明显不同;当应力于外磁场方向平行时,薄膜单元的矫顽力和剩磁随张应力的增加而线性增加,随着压应力的增加而线性减小。
- 张彩虹杨成韬庞翔毕长红张万里彭斌
- 关键词：剩磁矫顽力应力
- 衬底温度对AlN/ZnO复合薄膜结构形貌的影响
- 2012年
- 采用直流反应磁控溅射法在ZnO/Si基片上制备了良好(002)(c轴)取向的AlN薄膜,利用XRD、AFM对不同衬底温度下制备的AlN薄膜的结构、形貌进行了分析表征。结果表明,在一定温度范围内(450～650℃),随着衬底温度的升高,晶粒逐渐长大,沉积速率增大,表面粗糙度先减小后增大;AlN(002)择优取向呈改善趋势,取向度先增大后减小,600℃时达到最佳。
- 高扬许绍俊谌青青孟祥钦杨涛文忠张彩虹杨成韬
- 关键词：磁控溅射衬底温度形貌
- 退火温度对ZnO/PZT薄膜结构及电阻率的影响
- 2012年
- 采用射频反应磁控溅射法在Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)/Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了ZnO薄膜,利用X线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、霍尔效应测试系统等对不同退火温度下制备薄膜的结构、形貌及电阻率等进行了分析表征。结果表明,退火温度600℃的ZnO薄膜(002)择优取向较好,晶粒大小均匀,表面平整致密。随着退火温度的增大,电阻率先下降后升高,600℃时ZnO薄膜电阻率达最小。
- 谌青青高扬杨涛杨成韬文忠张彩虹孟祥钦
- 关键词：ZNO薄膜退火温度
- SiO_2粒径对PTFE/SiO_2复合材料性能的影响被引量：4
- 2012年
- 采用化学旋蒸工艺,制备了无定形SiO2填充聚四氟乙烯(PTFE)复合材料,并对其进行了热、介电性能测试和SEM分析表征。系统研究了PTFE-SiO2复合介质材料中,不同粒径的SiO2(4μm,9μm,13μm,20μm)对材料结构和性能的影响。结果表明,复合材料的密度、热膨胀系数、介电常数随着SiO2粒径的增大而增加,而介电损耗则随着SiO2粒径的增大而减小。当SiO2的粒径为20μm时,PTFE能很好的在SiO2表面形成一层包覆层,此时复合材料具有合适的热膨胀系数(17.58×10-6/℃)、介电常数(2.82)和低介电损耗(0.001 2)。
- 庞翔张彩虹童启铭肖勇李攀敏袁颖
- 关键词：复合材料SIO2介电性能
- 稀土In2O3掺杂改性锆钛酸铅压电陶瓷材料研究
- 传统固相烧结法制备In2O3掺杂的锆钛酸铅压电陶瓷材料，使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、安捷伦4294等研究了In2O3对P2T压电陶瓷相组成，压电性能及显微组织的影响.结果表明，掺入适量In2O3可抑制晶粒长大，有利...
- 文忠杨涛张彩虹谌青青高扬杨成韬
- 关键词：压电陶瓷压电性能掺杂改性固相烧结法
- FeCoSiB薄膜在应力调控下的微磁模拟
- 2013年
- 从微磁学理论出发,利用微磁学软件OOMMF,从理论上研究不同大小、方向的应力对FeCoSiB非晶磁弹性薄膜图形化单元磁畴、剩磁、矫顽力等磁性特性的影响。结果表明,磁滞回线明显取决于所施加的应力;且剩磁和矫顽力对应力的大小、方向的敏感度都很高。剩磁随应力以0.09/400MPa的梯度线性变化;矫顽力随应力以2mT/50MPa的梯度线性变化。
- 奉建华翟亚红杨成韬张彩虹张万里
- 关键词：剩磁矫顽力应力
