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吴少兵

作品数：35 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 35篇中文专利

领域

  • 16篇电子电信

主题

  • 12篇肖特基
  • 10篇晶体管
  • 8篇电子迁移率
  • 8篇迁移率
  • 8篇金属
  • 8篇毫米波
  • 8篇二极管
  • 8篇高电子迁移率
  • 8篇高电子迁移率...
  • 6篇挖槽
  • 6篇微波毫米波
  • 6篇空气桥
  • 5篇电路
  • 5篇电子自旋
  • 5篇阳极
  • 5篇势垒
  • 5篇自旋
  • 5篇自旋极化
  • 5篇肖特基二极管
  • 5篇肖特基势垒

机构

  • 35篇中国电子科技...

作者

  • 35篇吴少兵
  • 10篇陈堂胜
  • 7篇章军云
  • 7篇高建峰
  • 7篇张凯
  • 4篇牛斌
  • 3篇黄念宁
  • 3篇潘斌
  • 3篇王彦硕
  • 2篇李彭瑞
  • 1篇林罡
  • 1篇邹鹏辉
  • 1篇王溯源
  • 1篇蔡利康

年份

  • 8篇2024
  • 5篇2023
  • 7篇2022
  • 5篇2021
  • 3篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
共 35 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种自旋极化耦合的GaN高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种自旋极化耦合的GaN高电子迁移率晶体管，属于铁磁材料领域及三代半导体微波毫米波器件领域。该晶体管包括GaN HEMT完整外延结构以及在GaN HEMT完整外延结构上制备的源漏金属、源漏保护SiN介质、一次...
吴少兵陈韬
微波毫米波芯片的小尺寸栅制备方法
一种微波毫米波芯片的小尺寸栅制备方法，在介质层上涂一层耐刻蚀的电子束胶；利用电子束直写设备直写栅脚图形；在直写完的栅脚图形上涂深紫外光刻胶；利用电子束直写设备直写栅帽图形；对直写完的栅帽进行烘焙，并利用碱性显影液对直写完...
吴少兵高建峰
一种改善GaN HEMT表面电子束直写电荷积累的方法
本发明是一种改善GaN HEMT表面电子束直写电荷积累的方法，其特征该方法包括如下工艺步骤：（1）元件的制备；（2）纳米薄层金属锗的制备；（3）电子束直写栅；（4）纳米薄层金属锗的第一次去除；（5）栅介质的刻蚀，栅金属的...
吴少兵高建峰
文献传递
一种自旋极化耦合的GaN二极管
本发明公开了一种自旋极化耦合的GaN二极管，包括GaN SBD完整外延结构，其表面设有阴极金属、阳极结构和二极管隔离区；所述GaN SBD完整外延结构自下而上依次包括衬底、成核层及高阻缓冲层、n++重掺杂层和n‑轻掺杂层...
吴少兵代鲲鹏葛建雷于永洲章军云
一种空气桥互连条形阳极的准垂直肖特基二极管
本发明公开了一种空气桥互连条形阳极的准垂直肖特基二极管，包括半绝缘衬底、高掺杂外延层、低掺杂外延层台面、阴极金属、条形阳极金属、保护介质、阳极加电金属平板和金属空气桥；高掺杂外延层和阳极加电金属平板之间相隔一段间距、均设...
代鲲鹏张凯范道雨吴少兵陈堂胜
一种超晶格栅极的GaN高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种超晶格栅极的GaN高电子迁移率晶体管，包括GaN HEMT完整外延结构以及在GaN HEMT完整外延结构上制备的源漏金属、源漏保护SiN介质及栅极；所述GaN HEMT完整外延结构自下而上包括：衬底、成核...
吴少兵张亦斌王溯源于永洲章军云
一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明涉及的是一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，其外延结构包括SiC衬底、GaN沟道层、GaN高阻缓冲层和Al含量渐变的AlGaN势垒层。其制备方法，包括如下工艺步骤：（1）源漏金属体系的制备；（2）栅脚介...
吴少兵王彦硕黄念宁
一种异形超薄石英衬底太赫兹芯片的制备方法
本发明公开了一种异形超薄石英衬底太赫兹芯片的制备方法，包括：将正面具有太赫兹电路图形的石英晶圆倒扣并通过临时键合材料贴在临时载片上，通过砂轮减薄和化学抛光得到超薄石英衬底；经过光刻定义划片道区域，将划片道内的石英材料蚀穿...
王宇轩牛斌代鲲鹏吴少兵陈堂胜
一种悬空纳米栅长T型栅的制备方法
本发明公开了一种悬空纳米栅长T型栅的制备方法，包括步骤：在晶圆片上沉积钝化介质层；在钝化介质层上依次沉积牺牲层、刻蚀停止层；在刻蚀停止层上涂敷光刻胶，通过曝光和显影定义一次栅脚区域；刻蚀一次栅脚区域的刻蚀停止层和牺牲层，...
张亦斌孙远梁宗文吴少兵章军云
一种空气复合介质微带线的制造方法
本发明提出的是一种空气复合介质微带线的制造方法，包括以下步骤：1）器件制造完成后整个圆片通过旋涂的方法旋涂上一层电介质并固化；2）光刻形成刻蚀掩膜并刻蚀掉多余的电介质形成电介质支撑结构；3）旋涂光刻胶对圆片进行平坦化处理...
代鲲鹏张凯范道雨吴少兵陈堂胜
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