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刘迪

作品数:3 被引量:13H指数:2
供职机构:教育部更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金江苏高校优势学科建设工程资助项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇电路
  • 2篇绝缘体上硅
  • 2篇激励源
  • 1篇电流
  • 1篇电流监测
  • 1篇电路可靠性
  • 1篇扫描电子显微...
  • 1篇专用集成电路
  • 1篇阻抗
  • 1篇介质击穿
  • 1篇静态电流
  • 1篇击穿
  • 1篇激光
  • 1篇激光光束
  • 1篇集成电路
  • 1篇光束
  • 1篇SOI

机构

  • 3篇教育部
  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇陆坚
  • 3篇顾晓峰
  • 3篇刘迪
  • 2篇梁海莲
  • 1篇黄龙

传媒

  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇电子与封装

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2012
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
SOI电路可靠性筛选技术及失效机理研究被引量:2
2013年
可靠性筛选是提高电子产品良率的重要技术手段。针对绝缘体上硅(SOI)技术日益广泛的应用,通过大量实验研究了SOI电路的常用筛选试验,并对失效样品进行了相应的失效机理研究。首先讨论了SOI电路失效模式和筛选方法之间的关系;其次,针对三款SOI电路分别开展了老炼应力、高温贮存及恒定加速度试验来进行可靠性筛选;最后,利用光发射显微镜、扫描电子显微镜、聚焦离子束和激励源诱导故障测试等失效分析手段,对失效样品进行了失效模式及机理分析,揭示了失效根源,为改进工艺、提高SOI电路可靠性提供了依据。
黄龙刘迪陆坚顾晓峰
关键词:绝缘体上硅
SOI专用集成电路的静态电流监测和失效分析被引量:8
2013年
静态电流测试是一种高灵敏度、低成本的集成电路失效分析技术,在集成电路故障检测、可靠性测试及筛选中的应用日益普遍。针对某绝缘体上硅专用集成电路在老炼和热冲击实验后出现的静态电流测试失效现象,结合样品伏安特性、光发射显微镜和扫描电子显微镜等电学和物理失效分析手段,确定了栅氧化层中物理缺陷的存在、位置及类型;结合栅氧化层经时介质击穿原理分析,揭示了样品的主要失效机理,并分析了经时介质击穿失效的根源,为改进工艺、提高电路可靠性提供了依据。
刘迪陆坚梁海莲顾晓峰
关键词:静态电流绝缘体上硅扫描电子显微镜
基于SIFT技术的集成电路失效缺陷分析被引量:3
2012年
激励源诱导故障测试(SIFT)是一种新型的失效定位技术,可用于集成电路和分立器件中漏电、击穿、短路等失效点的定位及失效机理的分析。在介绍SIFT技术工作原理的基础上,利用该技术进行了六反相器电路的深埋层缺陷、收发器电路中电源与地之间漏电流失效和串行输出模数转换电路MOS器件欧姆短路的定位,并结合微结构观测分析了失效原因。研究结果表明,SIFT技术能有效分析光发射显微镜(EMMI)和激光光束诱导阻抗变化测试(OBIRCH)技术较难定位的缺陷,弥补了这些常规失效分析技术的不足。
刘迪顾晓峰陆坚梁海莲
共1页<1>
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