您的位置: 专家智库 > >

赵丽荣

作品数:1 被引量:0H指数:0
供职机构:大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室更多>>
发文基金:江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电阻率
  • 1篇金薄膜
  • 1篇溅射
  • 1篇合金
  • 1篇合金薄膜
  • 1篇CU
  • 1篇CU合金
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇N

机构

  • 1篇大连理工大学
  • 1篇大连理工常州...

作者

  • 1篇董闯
  • 1篇李晓娜
  • 1篇郑月红
  • 1篇赵丽荣

传媒

  • 1篇稀有金属材料...

年份

  • 1篇2016
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
Ti稳定N的三元Cu合金薄膜
2016年
由于铜与氮不能生成稳定的化合物,使得渗氮的方法不能用于提高铜的表面硬度。通过在Cu中添加能够稳定N的合金元素Ti,探索提高Cu表面硬度的有效方式。用磁控溅射法在Si(100)基体上制备不同Ti、N含量的Cu膜,对三元Cu合金膜进行微结构、硬度以及电阻率的分析。结果表明,加入Ti可以使N以钛氮化合物的形式稳定存在于Cu薄膜中,合金薄膜的硬度比纯Cu膜(~3.5 GPa)有了很大的提高,特别是Cu80.2Ti9.8N10.0薄膜在400℃/1 h退火后硬度依然为5.4 GPa。Ti、N含量高的Cu81.2Ti9.9N8.9薄膜的电阻率(~660μΩ·cm)比Cu88.5Ti4.3N7.2薄膜(~123μΩ·cm)高很多,但两薄膜的硬度却都约为5.2 GPa,所以,薄膜中并不是Ti、N含量越高性能越好,因此应该合理控制各组元含量。
李晓娜赵丽荣郑月红董闯
关键词:CU合金磁控溅射电阻率
共1页<1>
聚类工具0