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许一超

作品数:1 被引量:1H指数:1
供职机构:北京大学深圳研究生院更多>>
发文基金:北京市自然科学基金国家自然科学基金北京市属高等学校人才强教计划资助项目更多>>
相关领域:电气工程更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇完整性
  • 1篇系统集成
  • 1篇漏电
  • 1篇漏电流
  • 1篇绝缘
  • 1篇绝缘层
  • 1篇TSV
  • 1篇

机构

  • 1篇北京大学
  • 1篇北京信息科技...

作者

  • 1篇金玉丰
  • 1篇王贯江
  • 1篇孙新
  • 1篇缪旻
  • 1篇方孺牛
  • 1篇许一超

传媒

  • 1篇测试技术学报

年份

  • 1篇2012
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
TSV绝缘层完整性在线测试方法研究被引量:1
2012年
硅通孔(TSV)技术是先进的三维系统级封装(3D SIP)集成技术乃至三维集成电路(3D IC)集成技术的核心.TSV绝缘完整性是决定其电性能和长期可靠性的关键因素,在生产过程中对该特性进行在线(in-line)测试,及早筛除有缺陷的产品晶圆,可以有效降低总生产成本.本文提出在晶圆减薄前,通过探针与相邻两个TSV盲孔顶部接触进行I-V特性测试,得到两孔间漏电流数据,绘成曲线.若所得I-V曲线在电压为7 V~10 V时基本呈线性上升,且漏电流为几十皮安量级,则可初步判断该TSV盲孔对的绝缘完整性合格,可进入下一步工艺流程.若I-V曲线在电压为7V或更低时出现漏电流陡增甚至击穿特性,则可以判断该TSV盲孔对中有一个或两个的绝缘完整性已经受损.通过有限元仿真阐释了测试机理,并进行了试验验证.
缪旻许一超王贯江孙新方孺牛金玉丰
关键词:漏电流
共1页<1>
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