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肖伟

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：南京大学电子科学与工程学院超导电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇隧道结
  • 2篇NB
  • 1篇阳极
  • 1篇阳极氧化
  • 1篇铌
  • 1篇A1
  • 1篇AL
  • 1篇ALO
  • 1篇B/A
  • 1篇LOX
  • 1篇超导
  • 1篇超导隧道结
  • 1篇X

机构

  • 3篇南京大学

作者

  • 3篇李梦月
  • 3篇许钦印
  • 3篇卢亚鹏
  • 3篇曹春海
  • 3篇许伟伟
  • 3篇吴培亨
  • 3篇肖伟
  • 2篇康琳
  • 2篇陈健
  • 2篇房玉荣

传媒

  • 2篇低温与超导
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
Nb/AlOx-Al/Nb超导隧道结制备氧化工艺与特性研究
2012年
提出一种氧的等离子氧化的方法改善结区边缘绝缘性能,降低超导隧道结的漏电流。对Al膜进行等离子氧化能够有效的改善氧化膜的绝缘性能,AES分析表明:氧化绝缘层均匀,界面清晰;应用此方法成功制备出较好性能的Nb隧道结。
卢亚鹏曹春海李梦月许钦印肖伟房玉荣许伟伟康琳陈健吴培亨
关键词：超导隧道结阳极氧化
Nb/A1-AlO_X/Nb隧道结的制备研究被引量：2
2012年
通过改进RIE的刻蚀工艺和绝缘层的生长工艺,在SiO2/Si衬底上制备出了性能良好的超导Nb/A1-AlOX/Nb隧道结。采用CF4作为刻蚀气体,降低了RIE对结势垒层和衬底SiO2层的刻蚀。使用PECVD生长绝缘层SiO2,改善了绝缘性能,从而降低了隧道结的漏电流。
肖伟曹春海李梦月许钦印卢亚鹏康琳许伟伟陈健吴培亨
关键词：隧道结
全铌超导约瑟夫森结制备氧化工艺研究
卢亚鹏李梦月许钦印肖伟房玉荣许伟伟曹春海吴培亨
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