杨陈
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 供职机构：西安工业大学光电工程学院更多>>
- 发文基金：陕西省教育厅省级重点实验室科研与建设计划项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学更多>>
- Ga2O3薄膜的常温磁控溅射制备对其结构及光学特性的影响被引量：3
- 2019年
- 本文通过常温射频磁控溅射在单抛硅片和石英玻璃基底上溅射制备Ga2O3薄膜。采用分光光度计和椭偏仪测试薄膜的紫外光波段的透过率、折射率和光学吸收,利用X射线光电子能谱(XPS)测试了不同氧气氛下Ga2O3薄膜中氧元素的化学价态及其含量,X射线衍射(XRD)测试和拉曼散射光谱测试研究退火对薄膜生长及晶相结构的影响,采用微控四探针测试仪测试了薄膜的电阻率。研究了溅射功率、氩氧比、退火等工艺参数对薄膜结构及光电性能的影响。研究发现经过常温溅射后,再经过后退火处理的薄膜,无论在结构还是光学性能都优于之前传统制备工艺。结果显示:在氩氧比为80∶20、溅射功率为175 W、压强1.5 Pa条件下溅射2 h,沉积的薄膜厚度为197.6 nm,在紫外光波段吸收峰在284 nm,峰值透过率达到92.82%。在900℃退火下,薄膜的导电性能最好,电阻率达到137.21 m·cm。XRD测试和拉曼散射光谱结果表明,随着退火温度的升高,薄膜表现出择优生长趋势,发现β-Ga2O3的(201)、(401)和(403)的衍射峰随着退火温度的增加进一步增强。利用Tauc公式由透过率数据计算光学带隙结果表明,随着退火温度升高薄膜光学带隙由在4.93~5.28 eV范围内变化。
- 邵雨蔡长龙杨陈
- 关键词：磁控溅射X射线衍射拉曼散射光学带隙
- 1064nm高反射膜的PECVD法制备及其抗激光损伤性能被引量：1
- 2017年
- 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备氮化硅(SiNx)和含氟氧化硅(SiOxFy)薄膜,探讨了薄膜材料的最佳制备工艺参数,明确了薄膜光学特性与气体流量、射频功率、反应压强等制备工艺参数的关系;设计并制备了1 064nm高反射膜,并与PVD法制备的Ta_2O_5/SiO_2高反膜进行对比,结果表明,其反射率在99.0%左右时,PECVD法制备的高反膜具有较高的抗激光损伤阈值,约为PVD法的2倍。
- 杨陈杭凌侠李林军郭峰
- 关键词：PECVD高反膜损伤阈值
