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文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 4篇一维纳米
  • 4篇一维纳米材料
  • 4篇原子尺度
  • 4篇维纳米材料
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米材料
  • 3篇晶态
  • 3篇非晶
  • 3篇非晶态
  • 2篇碳化硅
  • 2篇碳化硅纳米线
  • 2篇同轴纳米电缆
  • 2篇纳米电缆
  • 2篇纳米线
  • 2篇硅纳米线
  • 2篇改性
  • 2篇SIC纳米线
  • 2篇SUB
  • 2篇表面改性
  • 1篇纤维

机构

  • 4篇哈尔滨工业大...

作者

  • 4篇温广武
  • 4篇黄小萧
  • 4篇张晓东
  • 4篇赵义
  • 4篇杨路路
  • 4篇周宇航
  • 2篇刘璐
  • 2篇闫旭
  • 2篇贾占林
  • 2篇刘文会

年份

  • 1篇2017
  • 3篇2016
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
一种SiCSiO<Sub>2</Sub>同轴纳米电缆及其制备方法
本发明公开了一种SiCSiO<Sub>2</Sub>同轴纳米电缆及其制备方法,所述SiCSiO<Sub>2</Sub>同轴纳米电缆是一种“芯部为3C-SiC、外层为非晶态SiO<Sub>2</Sub>”的具有核壳结构的一...
张晓东杨路路周宇航侯思民赵义刘丁元郭禹泽赵培瑜章泰锟贾占林黄小萧温广武
文献传递
一种SiC@SiO<Sub>2</Sub>同轴纳米电缆及其制备方法
本发明公开了一种SiC@SiO<Sub>2</Sub>同轴纳米电缆及其制备方法,所述SiC@SiO<Sub>2</Sub>同轴纳米电缆是一种“芯部为3C‑SiC、外层为非晶态SiO<Sub>2</Sub>”的具有核壳结构...
张晓东黄小萧温广武吴哲超赵培瑜侯思民赵义刘丁元郭禹泽章泰锟贾占林杨路路周宇航
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一种表面改性的SiC纳米线及其制备方法与应用
本发明公开了一种表面改性的SiC纳米线及其制备方法与应用,所述方法为:将SiC纳米线放置到管式烧结炉或可以气氛保护的加热装置中,通入氧气和氮气混合气流,然后启动加热,由室温加热至700~1400℃,控制加热速率为5~20...
张晓东杨路路周宇航闫旭黄小萧温广武侯思民赵义刘文会刘璐
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一种基于空气热氧化对SiC纳米线进行表面改性的方法与应用
本发明公开了一种基于空气热氧化对SiC纳米线进行表面改性的方法与应用,所述方法为:将SiC纳米线放置到空气烧结炉或可以直接在空气中加热的装置中,直接在空气气氛中加热,由室温加热至700~1400℃,控制加热速率为5~20...
张晓东杨路路周宇航闫旭侯思民赵义黄小萧温广武刘文会刘璐
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共1页<1>
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