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张晓旭

作品数：12 被引量：26H指数：3
供职机构：伊犁师范学院物理科学与技术学院更多>>
发文基金：新疆维吾尔自治区自然科学基金更多>>
相关领域：理学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇中文期刊文章

领域

  • 6篇化学工程
  • 6篇理学

主题

  • 7篇第一性原理
  • 6篇第一性原理研...
  • 4篇陶瓷
  • 4篇SIC陶瓷
  • 3篇电子结构
  • 3篇子结构
  • 3篇光学
  • 3篇光学性
  • 3篇光学性质
  • 3篇表面形貌
  • 3篇掺杂
  • 3篇EU
  • 2篇电子能
  • 2篇电子能带
  • 2篇电子能带结构
  • 2篇烧结助剂
  • 2篇态密度
  • 2篇碳化硅
  • 2篇碳化硅陶瓷
  • 2篇无压烧结

机构

  • 12篇伊犁师范学院
  • 9篇南京大学
  • 1篇新疆教育学院

作者

  • 12篇张晓旭
  • 7篇张丽丽
  • 7篇张航
  • 6篇马梅
  • 6篇彭彩云
  • 4篇董肖
  • 4篇朱强
  • 4篇张文蕾
  • 3篇薛明明
  • 3篇玛迪娜
  • 2篇黄以能
  • 2篇石秀丽
  • 2篇鲁媛媛
  • 2篇王艳辉
  • 2篇朱丹丹
  • 1篇赵兴宇
  • 1篇鹿桂花
  • 1篇张晋鲁
  • 1篇周恒为
  • 1篇曹庆琪

传媒

  • 9篇伊犁师范学院...
  • 2篇原子与分子物...
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 6篇2015
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
稀土元素(Ce/Nd/Eu/Gd)与N共掺金红石相TiO2的第一性原理研究被引量：2
2017年
基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势计算方法,计算分析了纯金红石相TiO_2,Ce、Nd、Eu和Gd四种稀土元素单掺杂金红石相TiO_2,以及与N共掺金红石相TiO_2的晶体结构、电子结构和光学性质。由掺杂前后的结果分析发现,掺杂后晶胞膨胀,晶格发生畸变;费米能级上移进入导带,导带底部引入杂质能级,提高了掺杂体系的电导率和对可见光的响应;光学性质、介电函数和吸收谱掺杂体系峰值比纯TiO_2小,反射谱和能量损耗谱出现红移现象。
张航马梅彭彩云张晓旭张丽丽黄以能
关键词：稀土元素共掺杂第一性原理
SiC+La_2O_3-Y_2O_3系列陶瓷结构与形貌的研究被引量：1
2015年
以La2O3-Y2O3为烧结助剂,在1900℃下采用液相无压烧结法制备了SiC陶瓷,利用XRD和SEM方法研究了Si C+(La2O3-Y2O3)系列陶瓷的结构及表面形态.结果表明,SiC+(La2O3-Y2O3)系列陶瓷烧结体内主晶相均为6H型的Si C相,也有少量的SiO2,Y2Si2O7,Y4.67(SiO4)3O,La4.67(SiO4)3O相,且烧结助剂含量不同,上述相应相中的衍射峰强弱不同.陶瓷试样烧结体随着烧结助剂质量分数由11%增加到19%,晶粒棱角越清晰,SiC晶粒趋于均匀分布.
石秀丽张晓旭夏欢鲁媛媛朱丹丹鹿桂花周恒为
关键词：SIC物相组成表面形态
铌掺杂钛酸钡的电子结构与光学特性的第一性原理计算被引量：3
2016年
基于第一性原理密度泛函理论框架下的平面波超软赝势计算方法,计算了铌(Nb)掺杂钛酸钡的电子结构和光学性质,并进行了分析.计算结果表明:与掺杂前的钛酸钡结构相比,电子结构方面,Nb掺杂后,费米能级穿过导带,使材料具有n型半导体的特性.从态密度图中可以得出,在费米能级附近的态密度主要由稀土元素贡献.光学性质方面,随着Nb的掺杂浓度的增加,静折射率增大,有效地增强了BTO对光的吸收,提高了其光电转换效率;从能量损失中看出掺杂后能量损失谱峰出现红移现象.
张航彭彩云马梅张文蕾张晓旭容婧婧张丽丽
关键词：第一性原理BATIO3电子结构光学性质
4H-SiC材料p型掺杂的电子结构第一性原理研究被引量：1
2017年
应用基于第一性原理平面波超软赝势方法,对六方相4H-SiC掺杂Ⅲ主族B、Al、Ga元素体系的晶格常数、能带结构、电子态密度、布居数进行了计算.计算结果表明:B、Al、Ga元素掺杂后,体系都发生了晶格畸变,能带都呈现出间接带隙特征,禁带宽度减小,费米能级穿越了价带,体现出p型半导体的特征;掺杂原子与C原子形成共价键的共价性减弱,离子性增强,掺杂体系的稳定性下降.
彭彩云王艳辉张航张晓旭张丽丽
关键词：4H-SIC第一性原理电子结构
NdOCl-MgO助烧剂配比对SiC陶瓷烧结及介电性能的影响被引量：1
2016年
采用无压液相烧结方法,制备Nd OCl-Mg O助烧剂总质量分数为9%,Nd OCl/Mg O不同配比的Si C陶瓷.对陶瓷样品的晶体结构和表面微结构进行检测分析,并研究讨论了助烧剂不同配比对Si C陶瓷介电性能的影响.结果表明:随着Nd OCl/Mg O比例的增加,样品中孔隙有减少趋势;Nd OCl与Mg O配比为4∶5时样品相对介电常数及介电损耗均比配比为2∶7时要小,二者介电损耗随温度变化近似线性变化.
董肖杜卫平朱强张晓旭玛迪娜赵兴宇杜斌
关键词：SIC陶瓷
Eu、N掺杂锐钛矿相TiO_2电子结构及光学性能的第一性原理研究被引量：2
2015年
利用第一性原理赝势方法计算了纯TiO_2及TiO_2掺杂N、Eu元素后的电子能带结构、态密度和光学性质.基于计算结果的分析发现：随着N、Eu元素的掺杂,TiO_2的能带结构发生了较大的变化,带隙宽度减小,产生杂质能级,费米能级越过价带,显现出明显的p型半导体特征;纯TiO_2在2.127 e V附近时,有吸收谱的出现,因此其对可见光吸收的能力很微弱;N元素掺杂后,体系在0.937e V附近有吸收谱的出现;Eu元素掺杂后,体系在1.64～3.19 e V（对应波长为390～770 nm）的可见光区域内,出现吸收峰,有效地改善了锐钛矿相TiO_2晶体对可见光的响应.
马梅张文蕾彭彩云张航张晓旭夏桐张晋鲁张丽丽
关键词：第一性原理电子能带结构态密度光学性质
Al_2O_3-La_2O_3烧结助剂配比对SiC陶瓷结构与形貌的影响
2015年
以Al_2O_3和La_2O_3作为烧结助剂,在1900℃下采用无压烧结技术制备了SiC陶瓷,用XRD、SEM方法对陶瓷样品的微观结构及表面形貌进行了检测分析.结果表明:烧结体中主晶相均为6H-Si C相,烧结助剂Al_2O_3与La_2O_3体积比为2∶8时所制备的陶瓷样品颗粒较为光滑,且孔隙相对较少.
玛迪娜.马合木提朱强张晓旭董肖鲁媛媛王玉玉薛明明
关键词：无压烧结烧结助剂表面形貌
不同制备工艺对SiC陶瓷表面形貌的影响
2015年
采用不同制备工艺(即Si C粉体的预氧化处理),以Al_2O_3-MgO-Y_2O_3为烧结助剂,在1900℃下无压烧结制备Si C陶瓷.用XRD和SEM分析Si C陶瓷微观结构和表面形貌.结果表明:碳化硅粉料未经预氧化处理,制备出的Si C陶瓷表面孔隙相对较小,密度相对较高;Si C粉料经预氧化处理后,在烧结过程中产生Y_3Al_5O_(12)相,但密度相对较低.
朱强张晓旭玛迪娜朱丹丹张强王艳辉董肖薛明明
关键词：碳化硅陶瓷预氧化
La-N共掺杂锐钛矿相TiO_2的电子结构及光学性质的第一性原理研究被引量：11
2016年
利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法对锐钛矿相TiO_2、La单掺杂及La-N共掺杂锐钛矿相TiO_2的电子结构进行计算,分析La单掺杂及La-N共掺杂对锐钛矿相TiO_2的晶体结构、能带、态密度、差分电荷密度和光吸收性质的影响.结果表明,掺杂后TiO_2的晶格发生畸变,原子间键长的变化使晶格发生膨胀;掺杂后TiO_2的禁带宽度减小,并在禁带中引入杂质能级,导致TiO_2的吸收图谱产生红移现象;与La单掺杂相比,La-N共掺杂锐钛矿相TiO_2的红移程度增强.
张晓旭马梅张文蕾张航马兰张丽丽
关键词：TIO2第一性原理晶体结构电子结构光学性质
Al_2O_3-MgO-Y_2O_3为烧结助剂对SiC陶瓷表面形貌的影响被引量：4
2015年
利用Al2O3-MgO-Y2O3为烧结助剂,在1900℃下无压烧结制备SiC陶瓷.用XRD和SEM分析SiC陶瓷表面氧化产物相组成和微观形貌.结果表明:烧结助剂为wt(2%Al2O3+4%MgO+4%Y2O3)所制备的SiC陶瓷所形成的颗粒较为光滑,且孔隙相对较小.
张晓旭石秀丽朱强玛迪娜李志鹏董肖薛明明
关键词：碳化硅陶瓷烧结助剂无压烧结
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