您的位置： 专家智库 > >

刘全

作品数：3 被引量：5H指数：2
供职机构：东南大学能源与环境学院射频与光电集成电路研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇动态范围
  • 3篇前置放大器
  • 3篇宽动态范围
  • 3篇放大器
  • 2篇跨阻放大器
  • 2篇跨阻前置放大...
  • 2篇CMOS
  • 1篇直流电路
  • 1篇通信
  • 1篇前置放大器设...
  • 1篇接收机
  • 1篇共源共栅
  • 1篇光接收
  • 1篇光接收机
  • 1篇光通信
  • 1篇光通信用
  • 1篇放大器设计
  • 1篇RGC
  • 1篇2.5GB/...
  • 1篇35ΜM_C...

机构

  • 3篇东南大学

作者

  • 3篇冯军
  • 3篇刘全
  • 1篇徐晖

传媒

  • 1篇电子学报
  • 1篇光通信技术
  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇2010
  • 1篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
0.35μm CMOS 2.5Gb/s宽动态范围前置放大器设计被引量：1
2010年
采用Chart ered0.35μm CMOS工艺设计了一种适用于光纤传输系统STM-16(2.5Gb/s)速率级的低功耗、宽动态范围的前置放大器。该前置放大器采用RGC(Regul at ed Cascode)结构作为输入级,同时引入消直流电路来提高光电流的过载能力。仿真结果表明,前置放大器的跨阻增益为57.0dBΩ,-3dB带宽为2.003GHz;当误码率BER为10-12时,输入灵敏度为-23.0dBm,过载光电流达到800μA。3.3V单电源供电时,功耗仅为59.43mW。芯片面积为465μm×435μm。
徐晖冯军刘全
关键词：前置放大器CMOS工艺宽动态范围
10Gb/s宽动态范围CMOS跨阻前置放大器被引量：2
2010年
采用UMC 0.13μm CMOS工艺,实现了一种应用于SDH系统STM-64(10Gb/s)光接收机的前置放大器.该前置放大器采用具有低输入阻抗特点的RGC(Regulated Cascode)作为输入级.同时,采用消直流技术来扩大输入信号的动态范围.在片测试结果表明:双端输出时中频跨阻增益约为58.57dBΩ(848Ω),-3dB带宽为12GHz,平均等效输入噪声电流谱密度约为24.7pA/(Hz,1.2V单电压源下功耗为21.84mW,其中8mW来自输出缓冲.输入电压信号动态范围36.5dB(12mV～800mV).包括焊盘在内的芯片面积仅为0.462×0.566mm2.
刘全冯军
关键词：光接收机前置放大器跨阻放大器宽动态范围CMOS
光通信用宽动态范围10Gb/s CMOS跨阻前置放大器被引量：2
2009年
采用UMC 0.13μm CMOS工艺,设计了一种应用于SDH系统STM-64(10 Gb/s)光接收机前置放大器。该前置放大器采用具有低输入阻抗特点的RGC形式的跨阻放大器实现。同时,引入消直流电路来扩大输入信号的动态范围。后仿真结果表明:双端输出时中频跨阻增益约为57.6 dBΩ,-3 dB带宽为10.7 GHz,平均等效输入噪声电流谱密度为18.76 pA/sqrt(Hz),1.2V单电压源下功耗为21 mW,输入信号动态范围40 dB(10μA^1 mA)。芯片面积为0.462 mm×0.566 mm。
刘全冯军
关键词：前置放大器跨阻放大器RGC宽动态范围CMOS
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0