王晓磊
- 作品数：5 被引量：3H指数：2
- 供职机构：桂林电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区科学研究与技术开发计划广西教育厅科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- MIM测试结构表征介电薄膜高频特性的研究分析
- 2016年
- 采用金属-绝缘体-金属(MIM)测试结构表征薄膜高频特性时,差动法能有效地剥离测量过程中寄生效应对表征结果的消极影响。为此,借助仿真软件ADS深入探究了差动法中不同内径的结构组合,以及结构中底部电极的厚度和材料对表征结果的影响。结果表明:组合DM65-55(两个结构的内径分别为65μm和55μm)能较大限度剥离寄生效应的影响,其表征精度高达98.7%;底部电极厚度为0.1μm时,能得到较理想的表征结果;底部电极材料的改变对损耗角正切值的计算影响较大,其均值随着材料的电阻率减小而减小。
- 秦臻陈文彬王晓磊杨道国蔡苗
- 关键词：寄生效应S参数损耗角正切值
- 基于微波高介电常数薄膜表征结构的损耗分析
- 共面波导传输线（CPW）是一种平面传输线结构。与微带线相比，CPW制作更加容易，与无源、有源器件在微波电路中串联、并联更加容易，提高密度更加容易，因此，CPW越来越多的应用在单片微波集成电路（MMIC）中，MMIC应用范...
- 王晓磊
- 关键词：回波损耗溶胶凝胶法
- 硅基片上射频集成无源器件的去嵌入表征方法研究被引量：2
- 2016年
- 硅基片上射频集成无源器件进行S参数测试时不可避免受到焊盘寄生效应的影响。针对这一问题,提取了三组不同长度硅基共面波导型传输线的S参数,基于级联理论的三种去嵌入方法被用于传输线模型分布参数的精确表征,并结合电磁仿真综合对比。结果表明:相对于其他两种常用去嵌入方法,"混合"法得到的S参数曲线与无焊盘仿真最为接近(平均偏差S_(11)≤3.392%,S_(21)≤5.184%),且削弱了去嵌入过程中测量误差的影响,有效减少了分布参数曲线波动。
- 陈文彬贠明辉蔡苗杨道国王晓磊
- 关键词：无源器件共面波导S参数去嵌入分布参数
- 硅基无源器件介电薄膜相对介电常数表征方法研究
- 2017年
- 介电薄膜的相对介电常数是介电材料的重要表征参数之一。在表征未知材料之前,需要用已知材料——二氧化硅验证表征方法的准确性。针对这一问题,提取了两组不同长度硅基共面波导型传输线的S参数,基于保角映射原理,使用三种不同的方法,先得到器件的有效介电常数以及结构参数,然后表征得到介电薄膜的相对介电常数。结果表明:S21表征法的平均偏差约1.435%,单线表征法的平均偏差约为0.483%,双线表征法的平均偏差约为0.448%。因此,可以得出结论:三种方法均可以准确地表征相对介电常数。
- 王晓磊马丁秦臻陈文彬杨道国蔡苗
- 关键词：相对介电常数共面波导S参数无源器件
- 一种“L-2L”传输线去嵌入方法的优化分析被引量：2
- 2016年
- 介绍了一种基于硅基微波共面波导传输线的"L-2L"去嵌入技术的改进方法。该方法可更加精确地剥离在片器件S参数中探针焊盘寄生效应的影响。利用ADS软件对无焊盘的理想传输线结构进行了电磁仿真,确立了去嵌入结果精确度的判定标准。使用GSG微波探针提取了测试样品的S参数,推导了π型寄生参量等效电路模型中并联导纳Y不同位置(m=0,0.5,1)下左、右探针焊盘的ABCD矩阵,得到了去嵌入后在片器件的本征传输特性S参数,并结合电磁仿真对比。结果表明:m=1时,其S参数曲线与仿真结果最为接近(平均偏差量ΔS_(11)=18.431,ΔS_(21)=4.405,ΔS=11.418)。对于不同在片测试器件需要着重考虑m的取值。
- 贠明辉王晓磊秦臻陈文彬蔡苗杨道国
- 关键词：共面波导传输线S参数寄生效应去嵌入
