朱景超
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 供职机构：合肥工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划安徽省自然科学基金安徽省高校省级自然科学研究项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- Al_2O_3薄膜的发光性能及其结构研究被引量：1
- 2010年
- 以高纯铝为靶材,在不同氧氩比例下,采用直流反应磁控溅射法制备了Al2O3薄膜。用F-4500型荧光分光光度计测量其荧光光谱,观察到416 nm和438 nm处的光致发光发射谱(PL),是由于氧空位充当的色心所致,且随着氧氩比例的增加,峰的位置基本不变,强度先上升后下降,这是由于氧氩比例的改变导致氧空位浓度变化引起的。通过对未退火及不同温度退火样品的XRD分析发现:室温沉积的Al2O3薄膜为非晶态,400℃退火开始有晶体出现,且退火温度越高,结晶性能越好。
- 储汉奇李合琴聂竹华都智朱景超
- 关键词：AL2O3薄膜直流反应磁控溅射光致发光光谱氧空位XRD
- 退火温度对磁控溅射SiC薄膜结构和光学性能的影响被引量：3
- 2010年
- 首先采用射频磁控溅射法在单晶Si(100)衬底上沉积制备了SiC薄膜,然后将所制备的薄膜试样分别在600,800和1 000℃氩气氛中退火120 min;采用X射线衍射仪和红外吸收光谱仪分析了薄膜的结构随退火温度的变化,采用荧光分光分度计研究了薄膜的发光性能随退火温度的变化。结果表明:室温制备的SiC薄膜为非晶态,经600℃退火后薄膜结晶,且随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度越来越好,并且部分SiC结构发生了由α-SiC到β-SiC的转变;所制备的SiC薄膜在384和408 nm处有两个发光峰,且两峰的强度均随退火温度的升高逐渐变强,其中384nm处的峰源自于SiC的发光,408 nm处的峰源自于碳簇的发光。
- 都智李合琴聂竹华储汉奇朱景超
- 关键词：SIC薄膜射频磁控溅射退火温度光致发光
