张国贤
- 作品数：29 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 单BJT支路运放失调型带隙基准电路
- 2024年
- 提出一种单双极结型晶体管(BJT)支路运放失调型带隙基准电路,与传统带隙基准相比,所提出的带隙基准具有更少的BJT和无源元件,功耗更低。该带隙基准结构的BJT的发射极-基极电压V_(BE)与绝对温度成反比(CTAT),基于运算放大器工作在亚阈值区的非平衡输入对管的栅极-漏极电压的差值ΔV_(GS)与绝对温度成正比(PTAT),通过单BJT支路线性叠加,得到带隙基准电压。所提出电路通过两级运放和具有源跟随功能的单BJT支路构成闭环负反馈系统,运放电路采用米勒电容进行频率补偿,提高系统稳定性。此外,通过在输出节点增加输出电容,改善高频情况下的电源抑制比(PSRR)。所提出的带隙基准电路基于标准SMIC 55 nm CMOS混合信号工艺制造,在-55~125℃范围内实现了15.7×10^(-6)/℃的温度系数,基准输出电压为1.27 V,PSRR在1 Hz、1 kHz、10 MHz时分别为-39.65 dB、-39.65 dB、-33.81 dB,功耗为0.730μW,电路稳定时间为20μs,无需启动电路,具有良好的性能指标。
- 王星相立峰张国贤孙俊文崔明辉
- 关键词：带隙基准温度系数
- 一种抗单粒子辐射的自偏置PLL加固结构
- 本发明涉及一种抗单粒子辐射的自偏置PLL加固结构，该自偏置PLL加固结构是通过判别非加固自偏置PLL中单粒子效应对V<Sub>BACK</Sub>信号的影响，对单粒子效应敏感的自偏置产生电路进行加固，得到能够抗单粒子效应...
- 周昕杰陈嘉鹏潘滨张国贤陈瑶
- 文献传递
- 8ns 4M_bit高可靠性静态随机存储器
- 2010年
- 为了满足目前对大容量、高速、高可靠性静态随机存储器(SRAM)越来越多的需求和解决高集成度的SRAM成品率深受生产工艺影响的问题,文章提出了一个256k×16bit高性能SRAM的设计。主要针对以下几个方面进行了描述:采用分级字线的方法和字线局部译码电路,提高速度;采用全PMOS管启动电路、与电源无关的偏置和加入补偿电容的稳压电路消除振荡、提高可靠性、降低功耗;冗余修补电路提高产品成品率。该4M_bitSRAM芯片采用SMIC0.18μm标准工艺,地址转换和存取时间仅为8ns,在SS模型125℃加入寄生参数且每个I/OPAD端口挂50pF电容的情况下,仿真结果表明从地址建立到数据读出仅需要7.16ns。
- 王燕周云波张国贤杨晓花
- 关键词：静态存储器
- 一种双环补偿瞬态增强LDO电路
- 本发明公开一种双环补偿瞬态增强LDO电路，属于电源转换领域，包括LDO电路反馈环路和快速瞬态响应结构；所述双环补偿瞬态增强LDO电路若处于重载条件下，则采用前馈补偿机制，提高重载条件下的环路稳定性；若处于轻载条件下，所述...
- 徐晓斌王星张国贤李嘉朋仲明尧崔明辉相立峰
- 一种高速率宽输入摆幅的输入信号检测电路
- 本发明公开一种高速率宽输入摆幅的输入信号检测电路，属于模拟集成电路领域，包括放大整形电路、镜像电路、乘法器、比较器和带隙基准源电路。所述放大整形电路对输入的差分信号的预放大和静态工作点调节；所述镜像电路将经过所述放大整形...
- 相立峰王星张国贤徐晓斌赵霁崔明辉
- 一种高速率宽输入摆幅的输入信号检测电路
- 本发明公开一种高速率宽输入摆幅的输入信号检测电路，属于模拟集成电路领域，包括放大整形电路、镜像电路、乘法器、比较器和带隙基准源电路。所述放大整形电路对输入的差分信号的预放大和静态工作点调节；所述镜像电路将经过所述放大整形...
- 相立峰王星张国贤徐晓斌赵霁崔明辉
- 文献传递
- 一种用于千兆以太网的时钟数据恢复电路设计与实现被引量：1
- 2020年
- 采用标准0.13μm CMOS工艺,设计了一种基于相位插值器的1/4速率时钟数据恢复电路,并将其应用于千兆以太网的SerDes收发器。该电路主要由高速采样电路、相位检测电路、相位选择控制电路、相位插值控制电路、相位选择器以及相位插值器等组成。相较于传统的基于锁相环结构的时钟数据恢复电路,该电路降低了数据峰峰值抖动和电路设计的复杂度。仿真结果表明,时钟数据恢复电路锁定后,恢复的时钟和数据的峰峰值抖动分别为38 ps和87 ps,满足了IEEE 802.3z协议要求。
- 朱佳王星张国贤陆锋
- 关键词：千兆以太网时钟数据恢复
- 一种双环补偿瞬态增强LDO电路
- 本发明公开一种双环补偿瞬态增强LDO电路，属于电源转换领域，包括LDO电路反馈环路和快速瞬态响应结构；所述双环补偿瞬态增强LDO电路若处于重载条件下，则采用前馈补偿机制，提高重载条件下的环路稳定性；若处于轻载条件下，所述...
- 徐晓斌王星张国贤李嘉朋仲明尧崔明辉相立峰
- 一种基于DICE结构SRAM的存内计算单元以及阵列
- 本发明涉及存内计算技术领域，特别涉及一种基于DICE结构SRAM的存内计算单元以及阵列，存内计算单元包括DICE结构存储单元；读访问电路C，由MOS管M4、MOS管M5和MOS管M6组成；读访问电路D，由MOS管M7、M...
- 张世琳张国贤吕广维徐晓斌王星赵霁
- 一种基于CLASS-AB类运放的无片外电容LDO设计被引量：1
- 2023年
- 介绍了一种基于CLASS-AB类运放无片外电容的低压差线性稳压器(LDO)。电路在高摆率误差放大器(EA)的基础上,通过构建动态偏置电路反馈到EA内部动态偏置管,大幅改善了LDO的瞬态响应能力,且动态偏置电路引入的左半平面零点保证了LDO的环路稳定性。同时,EA采用过冲检测电路减小了输出过冲,缩短了环路稳定时间。电路基于65 nm CMOS工艺设计和仿真。仿真结果表明,在负载电流10μA~50 mA、输出电容0~50 pF条件下,LDO输出稳定无振荡。在LDO输入2.5 V、输出1.2 V、无片外电容条件下,控制负载在10μA和50 mA间跳变,LDO输出恢复时间为0.7μs和0.8μs,下冲和上冲电压为58 mV和15 mV。
- 崔明辉王星李娜相立峰张国贤
- 关键词：低压差线性稳压器无片外电容
