赵程程
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 还原再氧化工艺下BaTiO_3基PTCR元件的密度与其电性能
- 2011年
- 通过固相法制备出正温度系数热敏电阻(PTCR)传感器,并且通过烧结过程控制瓷体密度。还原气氛中烧结的瓷片的电阻率随着密度的升高呈现逐渐降低的趋势,而再氧化后的瓷片的PTC效应随着密度的升高也呈现逐渐降低的趋势。含有内电极的电阻元件,相对于不含内电极的瓷片,电阻率有所升高,PTC效应有所降低,且密度越低,含有内电极的元件相对于不含内电极的瓷片的电性能变化更明显。相对密度在75%～83%之间的瓷片,在空气中650℃再氧化1h后,其电阻率为60～120Ω.cm,PTC效应为2.0～2.3个数量级,同一条件下的含有单对Ni电极的元件,其电阻率在200Ω.cm以下,PTC效应可达1.5个数量级。
- 胡云香赵程程傅邱云龚树萍周东祥
- 关键词：PTC效应
- 还原再氧化工艺烧结温度对PTCR热敏材料性能的影响
- 2011年
- 针对片式正温度系数热敏电阻（PTCR）传感器的还原再氧化制备工艺,研究了还原性气氛下烧结温度对热敏材料性能的影响。结果表明烧结温度在1 215-1 295℃范围内的还原气氛下烧结,瓷体均可半导化,瓷体的平均晶粒尺寸随烧结温度升高而增大,增大趋势由缓慢到逐步加快。再氧化处理前瓷体电阻率均小于10Ω.cm.再氧化后,瓷体的电阻率和升阻比都呈现出了不同程度的增长,增长幅度随烧结温度的升高而降低。此外,提高再氧化温度可提高升阻比同时会使瓷体电阻率增大。
- 傅邱云张波赵程程龚树萍周东祥
- 关键词：热敏电阻PTCR烧结温度
