赵亚东
- 作品数：8 被引量：11H指数：2
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金河北省自然科学基金国家中长期科技发展规划重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信建筑科学自动化与计算机技术更多>>
- 新型碱性抛光液化学作用对铜的去除机理被引量：2
- 2016年
- 研究了新型碱性铜布线抛光液的化学作用。通过改变FA/O螯合剂以及氧化剂H2O2的体积分数,分析了不同体积分数的FA/O螯合剂和氧化剂H_2O_2条件下对铜抛光速率、腐蚀电流以及静态腐蚀速率的影响。实验表明,铜膜去除的主要化学作用来自于螯合剂与氧化剂的协同作用。在相同的螯合剂和氧化剂体积分数下,对比铜静态腐蚀速率与抛光速率,结果表明在没有机械抛光的条件下,氧化膜钝化效应更强。当螯合剂的体积分数一定,改变双氧水的体积分数,铜抛光速率和腐蚀电流变化规律相同,且在双氧水体积分数为0.5%时,两者速率最高。表明铜膜的腐蚀性、钝化性与铜抛光速率存在一致性。通过改变和优化螯合剂和氧化剂组分,可以实现在低机械作用条件下铜布线高抛光速率平坦化。最后通过电化学阻抗谱分析了铜氧化膜的形成动力学。
- 赵亚东刘玉岭栾晓东
- 关键词：抛光速率腐蚀速率
- 基于Arrhenius方程研究活性剂对铜CMP粗糙度的影响被引量：4
- 2016年
- 选用非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO),通过自制的碱性铜抛光液,在E460E机台上研究不同体积分数活性剂对铜化学机械抛光(CMP)效果的影响。利用原子力显微镜(AFM)观察抛光后铜表面粗糙度,采用接触角测试仪测试不同的抛光液在铜表面的接触角。结果表明:铜抛光速率随着活性剂体积分数的增加呈缓慢降低趋势,加入活性剂可显著降低抛光后铜表面粗糙度。当加入体积分数3.0%的活性剂时,铜抛光速率从678.096 nm/min降低到625.638 nm/min,同时铜表面粗糙度从10.52 nm降低到1.784 nm,接触角从28.33°降低到12.25°。活性剂分子优先吸附在抛光后铜表面形成一层分子膜,表面粗糙度降低的根本原因是该分子膜增加了化学反应的活化能以及提高了抛光液的润湿性。基于Arrhenius方程,从活化能和温度两个参数阐述活性剂降低铜表面粗糙度的机制。
- 栾晓东牛新环刘玉岭闫辰奇赵亚东王仲杰王辰伟
- 关键词：表面粗糙度活化能接触角
- 被网纹覆盖的人脸图片的修复方法
- 本发明涉及被网纹覆盖的人脸图片的修复方法，其特征在于该方法通过先提取网纹边缘，再进行去除网纹、最后填补网纹并对整幅图像进行平滑处理，达到还原人脸的目的；具体步骤如下：步骤S1，图片预处理：将需要处理的图片进行行获取，获得...
- 张宁伍萍辉赵亚东石学超
- 文献传递
- 岩爆倾向性预警及声发射定位技术研究
- 随着社会经济的高速发展，我国在交通运输、矿山开采等领域持续加大开发力度和建设规模，其中包括各种大型岩石施工项目。众多的地下岩石工程施工数量和错综复杂的地质条件致使地质灾害频发，阻碍工程按期交付使用，甚至会造成人员伤亡和大...
- 赵亚东
- 关键词：岩爆倾向性预警模型贝叶斯网络
- 文献传递
- GLSI铜布线碱性抛光液中磨料的稳定性
- 2017年
- 在铜化学机械抛光中硅溶胶作为磨料起到重要的机械作用。但硅溶胶本身存在热力学上的不稳定性和动力学上的稳定性。研究了pH值、甘氨酸质量分数以及硅溶胶质量分数对抛光液中硅溶胶的粒径和Zeta电位的影响。结果表明,硅溶胶稳定性影响主要表现在pH为10.5时,体系具有最大的Zeta电位。甘氨酸质量分数在小于2%和硅溶胶质量分数小于5%时,有利于胶体的稳定性。利用DLVO理论和空位稳定理论对实验现象进行分析,研究了硅溶胶稳定机理。根据稳定性结论,优化抛光液组分,得到抛光速率稳定的碱性铜布线抛光液,稳定时间超过14天。
- 赵亚东刘玉岭栾晓东闫辰奇王仲杰
- 关键词：ZETA电位稳定性
- GLSI多层铜布线CMP粗抛材料成分优化研究
- 集成电路(integrated circuit,IC)按照摩尔定律已经发展60余年,芯片内集成晶体管数量已经达到10,最新的技术节点已经进入7nm阶段,使IC制造技术面临着巨大的挑战。在IC后端工艺制备技术中,当前化学机...
- 赵亚东
- 关键词：化学机械抛光抛光速率
- 文献传递
- 被网纹覆盖的人脸图片的修复方法
- 本发明涉及被网纹覆盖的人脸图片的修复方法，其特征在于该方法通过先提取网纹边缘，再进行去除网纹、最后填补网纹并对整幅图像进行平滑处理，达到还原人脸的目的；具体步骤如下：步骤S1，图片预处理：将需要处理的图片进行行获取，获得...
- 张宁伍萍辉赵亚东石学超
- 抛光压力与表面活性剂对铜CMP均匀性的影响被引量：8
- 2017年
- 研究了铜化学机械抛光(CMP)过程中,不同压力和非离子型表面活性剂对片内非均匀性(WIWNU)的影响。通过改变抛光压力大小和非离子型表面活性剂浓度,得出WIWNU的变化规律。实验表明,在不同抛光压力下,铜去除速率有明显的变化。当抛光压力为0 psi(1 psi=6.89×103Pa)时,去除速率呈中间高边缘低。当压力为0.5 psi时,边缘处去除速率较高,且随着压力的增大,晶圆边缘处去除速率与晶圆中心处去除速率差将更明显,导致片内非一致性增大。通过添加非离子型表面活性剂,可以改善WIWNU。当压力为1.5 psi时,非离子型表面活性剂体积分数为5%,WIWNU可降低到3.01%,并且得到良好的平坦化结果。同时,非离子型表面活性剂对晶圆表面残留颗粒具有良好的去除作用。
- 赵亚东刘玉岭栾晓东牛新环王仲杰
- 关键词：非离子型表面活性剂
