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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化钛
  • 1篇电池
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学检测
  • 1篇电极
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  • 1篇选择性
  • 1篇液流电池
  • 1篇英文
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  • 1篇青霉
  • 1篇青霉素
  • 1篇全钒液流电池
  • 1篇离子
  • 1篇离子选择
  • 1篇离子选择性
  • 1篇NAFION

机构

  • 2篇北京航空航天...

作者

  • 2篇相艳
  • 2篇卢善富
  • 2篇王海宁
  • 1篇梁大为
  • 1篇谭青龙
  • 1篇武春晓

传媒

  • 1篇电化学
  • 1篇高等学校化学...

年份

  • 2篇2017
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
纳米TiN碳糊电极对青霉素的电化学检测被引量:1
2017年
以纳米氮化钛(TiN)为电活性物质,制备了用于检测青霉素的纳米TiN修饰碳糊电极.研究了该碳糊电极中石墨与纳米TiN的质量比、电极面积、溶液pH值及缓冲容量等因素对青霉素检测效果的影响.结果表明,在优化的条件(石墨与TiN的质量比为2∶1,电极面积为1 mm^2,溶液pH值为7.2以及缓冲容量为20 mmol/L KH_2PO_4)下,该电极检出限为2×10^(-5)mol/L,线性检测范围为4×10^(-5)~3.2×10^(-3)mol/L.利用Zeta电位及交流阻抗的方法,揭示了纳米TiN碳糊电极检测青霉素的机理为纳米TiN对青霉素的特异性吸附.纳米TiN碳糊电极展现出良好的稳定性、选择性和重复性,在青霉素检测领域具有广阔的应用前景.
孙一焱卢善富王海宁相艳
关键词:氮化钛青霉素碳糊电极电化学检测
表面修饰模式对Nafion离子选择性影响及在VRFB中的应用(英文)被引量:1
2017年
本文采用壳聚糖-磷钨酸层对Nafion膜表面分别进行单面和双面修饰改性,研究了修饰模式对Nafion膜钒离子渗透率、电导率及离子选择性的影响.结果表明,单面、双面修饰改性均会使Nafion膜的钒离子渗透率显著降低,最高降幅分别达到89.9%(单面修饰)和92.7%(双面修饰);单面、双面修饰改性均会使Nafion膜的电导率下降,但存在明显差异,在相同修饰厚度条件下,双面修饰改性对Nafion膜电导率的影响比单面修饰改性更小.因此,双面修饰复合膜展示出了比单面修饰复合膜更高的离子选择性,并且在修饰层厚度为17μm时达到最大值(1.12×105S·min·cm^(-3)).基于优化的双面修饰Nafion膜的全钒液流电池,在充放电流密度30 mA·cm-2时,库仑效率和能量效率分别达到93.5%和80.7%,并在测试时间内展示出良好的循环稳定性.
谭青龙王海宁卢善富梁大为武春晓相艳
关键词:离子选择性全钒液流电池
共1页<1>
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