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王博: 作品数：13 被引量：22H指数：3; 供职机构：昆明物理研究所更多>>; 发文基金：国防科技技术预先研究基金国家科技重大专项更多>>; 相关领域：电子电信化学工程更多>>

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垂直型ITO/黑硅光电探测器及其制备方法: 垂直型ITO/黑硅光电探测器及其制备方法，涉及光电器件成像技术领域，尤其是一种高性能垂直型ITO/黑硅可见‑近红外光电探测器的制备技术。该光电探测器基于n型硅衬底，正面为高掺杂浓度的p型层。器件背面的n型层为过饱和掺杂的...; 张玉平唐利斌邓功荣吴刚袁绶章王博宋立媛赵鹏王静宇岳彪王海澎刘燕辛永刚王琼芳苏润洪魏虹姬玉龙黄俊博李红福李轶民敖雨彭秋思吴强

中/长波切换工作模式的双色量子阱红外焦平面研制被引量：1: 2015年; 报道了中/长波切换工作模式的双色量子阱红外焦平面研制。通过特殊设计的器件和读出电路结构,获得了可对中波波段和长波波段选择的切换架构。突破了双色量子阱材料、器件以及读出电路等关键技术,研制出384×288规模、25μm中心距双色量子阱红外焦平面探测器。在70 K条件下器件性能优良,噪声等效温差为28 m K(中波)和30 m K(长波),响应峰值波长分别为5.1μm(中波)和8.5μm(长波)。室温目标红外成像演示了探测器的双色探测功能。; 李东升周旭昌王博木迎春; 关键词：红外成像

具有TDMI功能的640×512双色碲镉汞焦平面读出电路: 2015年; 研制出一种应用于单铟柱结构的长/中波双色叠层碲镉汞640×512焦平面CMOS读出电路(ROIC)。根据单铟柱结构的双色叠层碲镉汞探测器实际应用需求,读出电路设计了单色长波积分/读出、单色中波积分/读出、长/中波双色信号顺序积分/读出、长/中波双色信号分时多路积分(TDMI)/读出等四种工作模式可选功能。输入级单元电路分别采用长/中波信号注入管、复位管、积分电容及累积电容,并分别采用读出开关缓冲输出。为提高读出电路的适应性,各色信号通路分别设计了抗晕管以提高探测器的抗晕能力;读出电路采用快照(Snapshot)积分模式,单色积分时具有先积分后读出(ITR)/边积分边读出(IWR)可选功能;当读出电路工作在单色或双色信号顺序模式时,各色积分时间可调;此外读出电路具有多种规格及任意开窗模式。该读出电路采用0.35?m 2P4M标准CMOS工艺,工作电压3.3 V。读出电路具有全芯片电注入测试功能,测试结果表明,在77 K条件下,读出电路的四种积分/读出模式工作正常,单色信号输出摆幅达2.3 V,功耗典型值为65 m W。; 白丕绩李敏王博陈虓梁艳洪建堂李立华

基于金属Al/p-GaN/AlGaN异质结的紫外双波段探测器及其制备方法: 基于金属Al/p‑GaN/AlGaN异质结的紫外双波段探测器，涉及光电技术领域。探测器是基于p‑GaN/AlGaN晶体的台面结构，台面下部,在n<Sup>+</Sup>‑AlGaN材料表面沉积多层金属Ti/Al/Ni/A...; 吴刚唐利斌邓功荣袁绶章郝群王博王静宇魏红严顺英谭英孔金丞

新型电流镜积分红外量子阱探测器读出电路的设计分析被引量：2: 2012年; 设计了一种偏压可调电流镜积分(Current Mirroring Integration,CMI)红外量子阱探测器焦平面CMOS读出电路。该电路适应根据偏压调节响应波段的量子阱探测器,其中探测器偏压从0.61 V到1.55V范围内可调。由于CMI的电流反馈结构,使得输入阻抗接近0,注入效率达0.99;且积分电容可放在单元电路外,从而可以在一定的单元面积下,增大积分电容,提高了电荷处理能力和动态范围;为提高读出电路的性能,电路加入撇除(Skimming)方式的暗电流抑制电路。采用特许半导体(Chartered)0.35 m标准CMOS工艺对所设计的电路(16×1阵列)进行流片,测试结果表明:在电源电压为3.3V,积分电容为1.25pF时,电荷处理能力达到1.3×107个电子;输出摆幅达到1.76V;功耗为25mW;动态范围为75dB;测试结果显示CMI可应用于高性能FPA。; 康冰心李煜白丕绩刘会平王博; 关键词：读出电路

短波320×256抗辐射加固读出电路设计被引量：2: 2012年; 设计了一款采用CMOS工艺的短波320×256抗辐射加固读出电路,分析了CMOS工艺抗辐射的特点,重点介绍了模拟通路、偏压产生电路和数字电路的加固设计方法,采用了双环保护结构、对NMOS管使用环形栅和冗余设计等措施。该设计电路经过流片,测试结果表明该抗辐射加固设计方法有效可行。; 梁艳李煜王博白丕绩李敏陈虓; 关键词：CMOS 读出电路抗辐射加固

高性能弹用碲镉汞红外焦平面读出电路被引量：3: 2014年; 研制出一种高性能弹用凝视型碲镉汞(MCT)中波红外焦平面CMOS读出电路(ROIC)芯片。读出电路采用快照(Snapshot)积分模式,具有积分后读出(ITR)、积分同时读出(IWR)、长/短帧组合(COMBINED)积分和长/短帧插入(INTERLACED)积分4种模式可选功能,有效解决高灵敏度和大动态范围的矛盾;其他特征包括抗晕、多级增益可选、串口功能控制,以及全芯片电注入测试功能。该读出电路采用0.35?m DPTM标准CMOS工艺,工作电压5.0 V。测试结果体现了良好的性能:在77 K条件下,全帧频可到250 Hz(插入积分模式),功耗典型值为20 mW。; 李煜王博白丕绩李立华刘会平洪建堂梁艳李敏胡彦博

具有像素累积功能的384×288焦平面读出电路被引量：5: 2011年; 研制出一种长波凝视型384×288焦平面CMOS读出电路(ROIC)。读出电路输入级单元电路采用像素累积(PA)功能以提高信噪比(SNR),并具有抗晕功能以提高探测器的适应性;读出电路采用快照(Snapshot)积分模式,具有积分后读出(ITR)和积分同时读出(IWR)两种模式可选功能;其他特征包括积分时间可调、多级增益可选、多种规格及开窗模式,以及全芯片电注入测试功能。该读出电路采用0.35μm DPTM标准CMOS工艺,工作电压为3.3 V。测试结果表明,在77 K条件下,读出电路的动态范围达91 dB,功耗典型值为36 mW。; 李煜白丕绩王博刘会平李立华洪建堂; 关键词：读出电路信噪比

Ⅲ-Ⅴ族低维结构红外焦平面探测器研究进展: 以量子阱红外探测器和二类超晶格红外探测器为代表的Ⅲ-Ⅴ族低维结构红外探测器具有均匀性好、吸收可调谐、能带结构优化、成本适中等优点而成为新一代红外焦平面发展的重点方向.昆明物理研究所一直积极发展Ⅲ-Ⅴ族低维结构红外探测器,...; 李东升周旭昌木迎春王博谭英

一种红外探测器像元电路: 本发明涉及一种红外探测器像元电路，具有两段式积分结构，用于解决传统积分方式的噪声较大尤其是因复位开关引入的噪声问题。该电路包括CTIA放大器、积分电容电路、滤波电容、两段式积分电路、采样电路，积分短路电路和漏电路补偿电路...; 吴圣娟李立华胡彦博白丕绩马伊娜王博; 文献传递