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李严

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：辽宁大学物理系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇结终端
  • 1篇结终端技术
  • 1篇沟道
  • 1篇沟道长度
  • 1篇保护环
  • 1篇VDMOSF...
  • 1篇场板

机构

  • 2篇辽宁大学

作者

  • 2篇石广源
  • 2篇李永亮
  • 2篇高嵩
  • 2篇李严

传媒

  • 2篇辽宁大学学报...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
VDMOSFET沟道区的研究被引量：1
2007年
讨论了影响沟道长度及沟道的夹断区长度的因素,通过沟道区的优化促进了VDMOSFET性能的提高.
石广源李严李永亮高嵩
关键词：沟道长度VDMOSFET
新型结终端技术被引量：2
2006年
提出了一种新型的场板和保护环相结合的结终端技术,并讨论了此终端结构的工作原理和优越性.
石广源李永亮李严高嵩
关键词：场板保护环结终端技术
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共1页<1>
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