您的位置： 专家智库 > >

施海铭

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：上海交通大学微电子学院更多>>
发文基金：上海市浦江人才计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇AL-CU

机构

  • 1篇上海交通大学

作者

  • 1篇汪辉
  • 1篇施海铭

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
Al-Cu互连导线侧壁孔洞形成机理及改进方法
2009年
侧壁孔洞缺陷是当前Al-Cu金属互连导线工艺中的主要缺陷之一。此种缺陷会导致电迁移,从而降低器件的可靠性。缺陷的产生是由于在干法等离子光刻胶去除工艺过程中,θ相Al2Cu在Al晶界聚集成大颗粒,并且在随后的有机溶液湿法清洗过程中原电池反应导致Al被腐蚀而在互连导线侧壁生成孔洞。通过对光刻胶去除工艺温度以及湿法清洗工艺中有机溶液的水含量控制可以抑制这种缺陷产生,从而减少电迁移,并且提高芯片的可靠性。
施海铭汪辉李化阳林俊毅
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0