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国力秋

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：清华大学机械工程学院机械工程系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇单壁
  • 1篇单壁碳纳米管
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米管
  • 1篇基底表面
  • 1篇反应温度
  • 1篇催化
  • 1篇催化剂
  • 1篇催化剂浓度

机构

  • 1篇清华大学

作者

  • 1篇梁吉
  • 1篇徐化明
  • 1篇王锐
  • 1篇国力秋

传媒

  • 1篇材料工程

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
单壁碳纳米管在基底表面的离散生长被引量：1
2007年
通过旋涂硝酸铁异丙醇溶液于P型硅表面以获得均匀分布的催化剂颗粒,以CH4为反应气体采用CVD方法即可在P型硅表面均匀生长单壁碳纳米管,并且部分碳纳米管呈直立状。研究了催化剂浓度、生长基底、反应温度对单壁碳纳米管表面生长情况的影响。研究表明,催化剂浓度升高或采用二氧化硅替代P型硅为生长基底时,都会导致单壁碳纳米管生长的密度加大,而碳纳米管长度变短且更易贴附基底表面生长;随反应温度的提高碳纳米管的生长效率降低,并使得碳纳米管更易贴附基底表面生长。采用此方法制备的生长有直立碳纳米管的硅片作为扫描基底,在原子力显微镜敲击模式下利用拾取法成功制备了碳纳米管原子力显微镜针尖。
徐化明王锐国力秋梁吉
关键词：单壁碳纳米管催化剂浓度反应温度
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共1页<1>
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