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高云鹏: 作品数：20 被引量：1H指数：1; 供职机构：桂林理工大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金广西高校科学技术研究项目广西壮族自治区科学研究与技术开发计划更多>>; 相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

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一种Cu2O纳米薄膜的制备方法: 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）配制质量百分比浓度为0.3～1%的HF溶液和质量百分比浓度为25～65%的HNO3溶液，两种配好的溶液取相同体积混合均匀，得混...; 江瑶瑶钟福新王晶晶高云鹏莫德清

一种Cu2O纳米阵列的制备方法: 本发明公开了一种Cu2O纳米阵列的制备方法。将8.8 mmol/L~0.115 mol/L NH4F溶液、7.54 mol/L~7.99 mol/L甘油水溶液与0.027 mm...; 江瑶瑶钟福新高云鹏黎燕莫德清; 文献传递

一种Ag/Cu2O异质结纳米薄膜的制备方法: 本发明公开了一种Ag/Cu2O异质结纳米薄膜的制备方法。将纯Cu片和浓度为0.01~0.10mol/L Cu(NO3)2溶液，于80℃~90℃下反应4~6...; 伍泳斌钟福新高云鹏黎燕莫德清; 文献传递

一种水热法制备Cu2O纳米薄膜的方法: 本发明公开了一种水热法制备Cu2O纳米薄膜的方法。（1）取5.00 mL浓度为0.005~0.2 mol/L H2O2溶液与10.00 mL无水乙醇混合均...; 高云鹏钟福新黎燕江瑶瑶莫德清

一种Ni/Cu2O纳米薄膜的制备方法: 本发明公开了一种Ni/Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）称取NiC4H6O4（控制摩尔比nNi:nC...; 丁红钟福新高云鹏黎燕莫德清; 文献传递

一种CdSe量子点的制备方法: 本发明公开了一种CdSe量子点的制备方法。阴极电解液由0.023~0.211 mol/L CdCl2、0.023~0.211 mol/L H2SeO3、0...; 江瑶瑶钟福新高云鹏黎燕莫德清

一种Cu2O纳米薄膜的制备方法: 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）分别取10.00 mL 0.10~0.40 mol/L Cu(Ac)2溶液、0.50 mL 0.027~0.227 mmol/...; 丁红钟福新高云鹏黎燕莫德清; 文献传递

一种Cu2O纳米薄膜的制备方法: 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。配制含0.0244~0.1220mol/L CuSO4、0.0006~0.0122mol/L十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、0.0...; 高云鹏钟福新黎燕江瑶瑶莫德清; 文献传递

电沉积法制备CdSe薄膜及其光电性能: 2018年; 采用电沉积法制备了硒化镉（CdSe）薄膜,讨论了Cd（NO3）2和H2SeO3摩尔比（n（Cd∶Se））、聚乙烯吡咯烷酮（PVP）浓度、沉积电压和时间等条件对CdSe薄膜光电压的影响,并对样品进行X射线衍射（XRD）、能谱分析（EDS）和扫描电子显微镜（SEM）等表征。结果表明,CdSe薄膜制备最优条件是在二甲基甲酰胺（DMF）体系中,以0.005 5 mol/L PVP、0.036 mol/L Cd（NO3）2、0.054 mol/L H2SeO3混合液为电解液,室温下3.0 V直流电压沉积15 min,可得最高0.3680 V光电压的CdSe薄膜。XRD表征显示,在2θ值为25.354°,42.010°,49.699°,67.083°和76.780°处出现了（111）,（220）,（311）,（331）和（422）五个晶面衍射峰,与立方型CdSe标准衍射卡（PDF 19-0191）峰位相吻合。EDS分析表明,样品中Cd和Se质量分数分别为45.60%和51.65%,原子分数分别为36.84%和59.02%。SEM表征显示,样品中的CdSe呈多层链网结构,链直径尺寸为80300 nm。; 高云鹏丁红苏泉黎燕钟福新; 关键词：二甲基甲酰胺电沉积光电性能

一种Ni/Cu2O纳米薄膜的制备方法: 本发明公开了一种Ni/Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）称取NiC4H6O4（控制摩尔比nNi:nC...; 丁红钟福新高云鹏黎燕莫德清; 文献传递