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雷珍琳

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：天津职业技术师范大学电子工程学院更多>>
发文基金：天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电阻
  • 1篇损耗
  • 1篇屏蔽
  • 1篇晶体管
  • 1篇开关损耗
  • 1篇沟道
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管

机构

  • 1篇天津职业技术...

作者

  • 1篇王雅欣
  • 1篇裴志军
  • 1篇雷珍琳
  • 1篇史中海

传媒

  • 1篇天津职业技术...

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
平面栅功率MOS场效应晶体管结构研究进展被引量：1
2012年
随着新能源应用的需求,直流变换器不断向小型化、高功率密度、低压大电流方向发展,作为直流变换器关键器件的功率金属氧化物半导体场效应晶体管,不断创新优化结构,获得更低导通电阻、更高开关速度,从而推动了与互补金属氧化物半导体制造工艺兼容的平面栅技术功率器件的发展。文章探讨了平面栅功率器件的研究进展,包括屏蔽沟道、肖特基势垒结等结构。
雷珍琳史中海裴志军王雅欣
关键词：导通电阻开关损耗
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共1页<1>
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