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郁万成

作品数：6 被引量：6H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：北京市科技计划项目国家电网公司科技项目国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇迁移率
  • 3篇等离子体化学...
  • 3篇石墨
  • 3篇石墨烯
  • 3篇迁移
  • 3篇微波等离子体
  • 3篇微波等离子体...
  • 3篇化学气相
  • 3篇化学气相沉积
  • 3篇半导体
  • 3篇衬底
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子迁移率
  • 2篇载气
  • 2篇瞬态
  • 2篇热解法
  • 2篇金刚石
  • 2篇金属片
  • 2篇光电
  • 2篇光电流

机构

  • 6篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇全球能源互联...

作者

  • 6篇王占国
  • 6篇金鹏
  • 6篇郁万成
  • 4篇张烨
  • 3篇陈亚男
  • 1篇龚猛

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
半导体测试装置及方法
本发明公开了一种半导体测试装置及方法，半导体测试装置包括激光器、电源、第一金属片及第二金属片，第一金属片与第二金属片相对设置，用以将待测半导体夹设于第一金属片和第二金属片之间。第一金属片设置有电流输出端，第二金属片接地，...
张烨陈亚男金鹏郁万成王占国
半导体测试装置及方法
本发明公开了一种半导体测试装置及方法，半导体测试装置包括激光器、电源、第一金属片及第二金属片，第一金属片与第二金属片相对设置，用以将待测半导体夹设于第一金属片和第二金属片之间。第一金属片设置有电流输出端，第二金属片接地，...
张烨陈亚男金鹏郁万成王占国
文献传递
基于微波等离子体化学气相沉积的石墨烯制备方法
本发明提供一种石墨烯制备方法，包括：对SiC衬底硅面进行氢刻蚀，形成原子台阶状表面；将氢刻蚀后的SiC衬底置于反应室中，通入惰性气体，在SiC衬底硅面上制备碳原子缓冲层；将形成有碳原子缓冲层的SiC衬底置于微波等离子体化...
郁万成金鹏王占国
文献传递
基于微波等离子体化学气相沉积的石墨烯制备方法
本发明提供一种石墨烯制备方法，包括：对SiC衬底硅面进行氢刻蚀，形成原子台阶状表面；将氢刻蚀后的SiC衬底置于反应室中，通入惰性气体，在SiC衬底硅面上制备碳原子缓冲层；将形成有碳原子缓冲层的SiC衬底置于微波等离子体化...
郁万成金鹏王占国
文献传递
金刚石半导体材料和器件的研究现状被引量：6
2017年
简述了金刚石半导体材料的主要制备方法,以及掺杂技术及其在器件制备中应用的研究现状。重点介绍了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备高质量金刚石的优势以及在生长速率、晶体尺寸和晶体质量等方面的研究进展及阻碍因素,并探讨了实现金刚石大尺寸高质量生长的方法。通过对金刚石进行掺杂,可使其呈现p型和n型导电。总结了金刚石p型、n型掺杂及共掺杂的研究现状,并分析了金刚石在掺杂过程中出现的问题,探讨了p型掺杂和n型掺杂的研究方向。最后给出了金刚石在电力电子器件、探测器和场发射器件中的应用现状,并对金刚石的未来发展方向作出了展望。
陈亚男张烨郁万成龚猛杨霏刘瑞王嘉铭李玲金鹏王占国
关键词：金刚石迁移率掺杂
异质外延金刚石及其制备方法
本发明提供了一种异质外延金刚石及其制备方法。该异质外延金刚石包括：异质衬底；石墨烯柔性层，制备于异质衬底上；金刚石层，外延生长于石墨烯柔性层上；其中，石墨烯柔性层作为异质衬底上生长金刚石的柔性中间层。本发明利用石墨烯作为...
郁万成金鹏张烨王占国
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