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蔺卡宾

作品数:3 被引量:3H指数:1
供职机构:东南大学机械工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金江苏省自然科学基金重庆市教育委员会科学技术研究项目更多>>
相关领域:电子电信生物学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 1篇生物学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇纳米
  • 3篇纳米孔
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇电动力学
  • 1篇电解质溶液
  • 1篇电子束
  • 1篇输运
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇限高
  • 1篇芯片
  • 1篇芯片制造
  • 1篇离子电流
  • 1篇离子束
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化钼
  • 1篇聚焦离子束
  • 1篇过孔
  • 1篇二硫化钼

机构

  • 3篇东南大学
  • 1篇广东工业大学
  • 1篇重庆三峡学院

作者

  • 3篇陈云飞
  • 3篇蔺卡宾
  • 2篇袁志山
  • 2篇杨浩杰
  • 2篇纪安平
  • 1篇易红
  • 1篇倪中华
  • 1篇张艳
  • 1篇张艳
  • 1篇谢骁
  • 1篇司伟
  • 1篇李堃
  • 1篇马建

传媒

  • 3篇东南大学学报...

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2016
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
受限高浓度电解质溶液的电动力学输运
2016年
为了解释有关纳米通道内离子输运特性的一系列违反经典流体力学和电迁移理论的实验现象的内在机理,通过分子动力学模拟的方法,研究了受限高浓度Na Cl溶液的离子电流和迁移率等电动力学输运特性.结果显示,跨膜电压和接入电阻是导致单层石墨烯纳米孔的离子电流随孔径呈线性增长的重要原因.受限电解质溶液与体态溶液的本质区别是除了固液界面的边界效应外,跨膜电压造成的局部超大电场将导致电迁移速率随电场强度增加出现非线性增长的Wien效应.同时,离子迁移率随溶液浓度升高而下降.产生这些变化的微观机理除了离子氛屏蔽效应外,还有离子对形成和离子碰撞等离子间微观相互作用.
李堃袁志山纪安平司伟蔺卡宾杨浩杰马建沙菁陈云飞
关键词:纳米孔迁移率
SiN薄膜纳米孔芯片制造工艺实验研究被引量:2
2016年
针对第3代基因测序的需求,提出一种大规模的氮化硅薄膜纳米孔芯片制造技术.通过测量不同膜厚氮化硅薄膜的应力,选择适用于纳米孔制造的最佳厚度为100 nm.采用低压化学气相沉积、反应离子刻蚀和释放工艺制备出高成品率的氮化硅纳米薄膜芯片.在此基础上,使用聚焦离子束和高能电子束实现氮化硅薄膜纳米孔的制造.研究聚焦离子束刻蚀时间、电流与纳米孔直径的关系.实验结果表明,采用聚焦离子束将氮化硅薄膜的厚度减薄至40 nm以下时,制作纳米孔的效果更好.采用聚焦离子束制造的氮化硅薄膜纳米孔最小直径为26 nm,而采用电子束制备的最小直径可达3.5 nm.该方法为基于固体纳米孔的DNA测序检测提供了有力的支撑.
袁志山蔺卡宾杨浩杰纪安平沙菁谢骁倪中华易红陈云飞
关键词:氮化硅纳米孔聚焦离子束电子束
基于二硫化钼固态纳米孔检测DNA分子实验研究被引量:1
2018年
为了研究二硫化钼固态纳米孔在DNA检测中的性能,采用机械剥离的方法制备了单少层的二硫化钼,并将其转移到氮化硅基底上制作纳米孔,进行λ-DNA的过孔实验.研究了电压、溶液浓度对DNA分子通过二硫化钼固态纳米孔的过孔时间和幅值的影响,并与氮化硅纳米孔的实验进行了对比.实验结果表明,二硫化钼纳米孔中,使用1 mol/L的KCl溶液,λ-DNA通过纳米孔时所产生的阻塞电流信号幅值和标准幅值比都随着电压的升高而升高,过孔时间随着电压的升高而减小;而相同电压下,当KCl溶液浓度由1 mol/L降低到0.1 mol/L时,阻塞电流信号幅值随之下降,标准幅值比却随之升高,过孔速度变快.此外,在相同实验条件下,当基准幅值电流接近时,DNA分子通过二硫化钼纳米孔所产生的阻塞离子电流幅值明显高于通过氮化硅纳米孔时的阻塞离子电流幅值,归一化后的离子电流标准幅值比提高约3倍,证明二硫化钼薄膜具有更高的灵敏性和信噪比.
尉玉蔺卡宾蔺卡宾张艳张艳
关键词:DNA
共1页<1>
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