您的位置： 专家智库 > >

杨海燕

作品数：15 被引量：17H指数：3
供职机构：华北光电技术研究所更多>>
发文基金：陕西省教育厅省级重点实验室科研与建设计划项目军内科研计划重点项目更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇中文期刊文章

领域

  • 14篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 13篇碲镉汞
  • 5篇液相外延
  • 3篇碲锌镉
  • 3篇碲镉汞薄膜
  • 3篇P-
  • 2篇HG
  • 2篇O
  • 2篇N
  • 2篇X
  • 2篇N-
  • 1篇电学性能
  • 1篇雪崩
  • 1篇雪崩光电二极...
  • 1篇异质结
  • 1篇原位
  • 1篇跃迁
  • 1篇陨石
  • 1篇陨石坑
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子迁移率

机构

  • 15篇华北光电技术...

作者

  • 15篇杨海燕
  • 7篇折伟林
  • 3篇胡尚正
  • 3篇王鑫
  • 3篇侯晓敏
  • 3篇王丛
  • 3篇刘铭
  • 2篇孙浩
  • 2篇吴卿
  • 2篇高达
  • 2篇郭明珠
  • 2篇柏伟
  • 1篇刘兴新
  • 1篇王成刚
  • 1篇周立庆
  • 1篇邢伟荣
  • 1篇田震
  • 1篇周朋

传媒

  • 9篇红外
  • 6篇激光与红外

年份

  • 2篇2024
  • 3篇2023
  • 3篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
共 15 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
碲锌镉衬底晶向对碲镉汞薄膜表面形貌的影响被引量：2
2018年
利用定向仪对原生晶片及加工后的碲锌镉衬底的晶向进行比较,观察不同晶向衬底液相外延碲镉汞薄膜的表面形貌,考察了衬底晶向偏差对液相外延碲镉汞薄膜表面形貌的影响。通过进一步的追踪碲锌镉衬底在加工过程中的晶向变化,研究衬底晶向变化的原因和解决方法。研究发现,碲锌镉晶体在初次定向切割后的加工过程中晶向会发生明显变化,而在厚度减薄较大的粗磨工艺后不会发生较大晶向偏差,因此,可将粗磨后衬底的再次定向结果作为进一步筛选碲锌镉衬底的依据,以保证液相外延碲镉汞薄膜的质量。
杨海燕周晓珺侯晓敏何越阳
关键词：碲锌镉碲镉汞
液相外延原位Au掺杂碲镉汞薄膜材料的研究被引量：3
2017年
通过液相外延方法,在碲锌镉衬底上制备了原位Au掺杂碲镉汞薄膜材料,采用金相显微镜、X光双晶衍射仪、二次离子质谱仪、Hall测试、少子寿命测试等手段对Au掺杂的碲镉汞薄膜材料进行了表征,外延片的表面形貌、晶格质量等和常规的碲镉汞外延材料基本相当,少子寿命较常规材料提高至少一个量级,芯片R_0A提高至少5倍,并成功制备出了截止波长为10μm的256×256探测器芯片,响应率非均匀性为2.85%,有效像元率为99.2%。
胡尚正郭明珠刘铭吴卿折伟林杨海燕孙浩周立庆
关键词：碲镉汞液相外延
衬底表面状态对碲镉汞薄膜表面起伏的影响被引量：3
2017年
通过改变碲锌镉衬底的表面加工方法及溴-甲醇腐蚀液的浓度,研究衬底的表面状态对碲镉汞薄膜表面起伏情况的影响。利用傅里叶红外透射(FTIR)光谱议、晶片扫描成像系统、光学显微镜等工具对不同条件下的碲镉汞薄膜的表面起伏情况进行观察和比较。研究初步发现碲锌镉衬底不经过化学抛光,以及不经过腐蚀直接进行外延的情况下得到的碲镉汞薄膜的表面起伏状况会得到一定程度的改善,但是考虑溴-甲醇腐蚀液对机械抛光造成的表面应力的释放作用以及外延过程中的衬底回熔的相互作用会使得外延所得碲镉汞薄膜表面起伏情况更加复杂。因此,仍需要对衬底使用前的化学抛光对薄膜表面起伏的作用以及确定合适的溴-甲醇腐蚀液的浓度进行进一步的研究。
杨海燕胡尚正郭明珠
关键词：碲镉汞化学抛光
碲镉汞材料中Hg空位、Au、As掺杂的研究进展
2021年
碲镉汞材料是制造红外探测器的基础,高性能红外探测器对碲镉汞材料的要求越来越高。为了提升器件性能,必须提高碲镉汞材料的电学性能。而掺杂是一个很好的选择。碲镉汞材料掺杂可以分为n型和p型两种。对于n型掺杂来说,In是一种理想的掺杂剂,其掺杂研究目前已比较成熟。相对而言,p型掺杂研究还不是那么深入。Hg空位、Au、As掺杂均为碲镉汞材料中常见的p型掺杂手段。通过分析和总结近些年的部分相关文献,介绍了碲镉汞材料中Hg空位、Au、As掺杂的研究进展。
郝斐曹鹏飞杨海燕吴卿
关键词：碲镉汞
液相外延碲镉汞薄膜表面“陨石坑”状缺陷研究
2024年
随着红外探测器技术的发展,对高质量碲镉汞外延材料质量的要求逐渐提高,这也对碲锌镉衬底质量提出了更高的要求。对液相外延碲镉汞薄膜表面上一种尺寸较大且周围伴有平台的点状缺陷进行了形貌及成分表征。该类型缺陷的形貌类似于中间凹陷的陨石坑(简称“陨石坑”状),其组分与碲镉汞外延膜正常区域相比未出现明显偏离。研究发现,液相外延过程中在碲镉汞生长溶液与碲锌镉衬底接触前,衬底表面出现近似三角形、圆形的缺陷,且该缺陷下方存在孔洞类形貌,在该缺陷之上外延的碲镉汞薄膜表面会出现“陨石坑”状缺陷。该缺陷的来源定位为后续控制此类缺陷的产生提供了支撑。
胡易林杨海燕侯晓敏李乾牛佳佳郝斐折伟林王利军
关键词：碲镉汞碲锌镉孔洞聚焦离子束
液相外延碲镉汞贯穿型缺陷研究
2023年
液相外延碲镉汞材料的贯穿型缺陷会在后续器件制备中导致多个盲元的形成。采用共聚焦显微镜对该类缺陷的深度进行了表征,并对缺陷底部的成分进行了测试。使用聚焦离子束(Focused Ion Beam,FIB)将缺陷挖开后对其进行观察。对于贯穿型缺陷较多的碲锌镉衬底外延生长碲镉汞薄膜,统计后发现碲镉汞表面的贯穿型缺陷与衬底缺陷存在一定的对应关系,因此推测液相外延贯穿型缺陷起源于碲锌镉衬底缺陷。
胡易林杨海燕折伟林王丛邢晓帅李乾牛佳佳
关键词：液相外延碲镉汞碲锌镉
退火工艺对HgCdTe材料位错密度及电学性能影响的研究被引量：1
2023年
实验分别采用高低温退火和循环变温退火方式对液相外延生长的HgCdTe材料进行饱和汞压热处理,研究了两种热处理工艺对碲镉汞材料位错密度及电学性能的影响。结果表明:相较于高低温退火,经循环变温退火后HgCdTe材料的位错密度有了明显的降低,并且材料的迁移率有了显著的提升。研究发现循环变温退火是一种较好提升HgCdTe材料性能的热处理方法。
邢晓帅折伟林杨海燕郝斐胡易林牛佳佳王鑫赵东生
关键词：碲镉汞位错密度电学性能载流子迁移率
长波p-on-n碲镉汞红外焦平面器件研究进展被引量：1
2022年
与n-on-p材料相比,p-on-n材料具有更低的暗电流和更高的工作温度,更适于长波以及高温工作碲镉汞红外焦平面器件。介绍了法国Sofradir公司、美国Raytheon Vision Systems公司以及国内的华北光电技术研究所和昆明物理研究所在长波p-on-n器件上的研究进展。
郝斐赵硕杨海燕胡易林
关键词：碲镉汞长波
基于光致发光谱的窄禁带半导体材料能级研究被引量：1
2020年
材料能带以及缺陷能级状态是窄禁带半导体材料芯片制造过程中的重要参数。红外调制光致发光(Photoluminescence,PL)光谱仪是一种无损的有效检测技术。利用该技术对不同的窄禁带半导体材料进行了检测,然后用线型拟合光谱揭示了不同能级间的电子跃迁,并对结果进行了分析。结果表明,红外调制PL光谱是一种有效的材料能带和缺陷能级研究方法。
申晨李乾周朋杨海燕
关键词：能级跃迁
CdSeTe分子束外延技术研究
2023年
对HgCdTe红外探测器CdSexTe1-x衬底材料的分子束外延生长条件、组分调整等进行了简单介绍。生长条件包括生长结构(主要有CdSexTe1-x/CdTe/ZnTe/Si、CdSexTe1-x/ZnTe/GaAs等)、生长温度(300℃左右)、生长厚度(5μm左右)等。组分调整包括分析Se组分随(JSe+JTe)/JCd和JSe/(JSe+JTe)的变化。JSe/(JSe+JTe)值较小时,Se组分较难融入外延层;JSe/(JSe+JTe)值较大时,Se组分增长较迅速。同时,若JSe/(JSe+JTe)值较小,则Se组分增长趋势相对较易控制。当JSe/(JSe+JTe)值一定时,Se组分随着(JSe+JTe)/JCd的减小而增大。Se组分变化的突增点随(JSe+JTe)/JCd值的减小而增大。本文可为高性能HgCdTe红外探测器的制备提供一定的参考。
何温王丛高达邢伟荣柏伟杨海燕折伟林
关键词：分子束外延
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0