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刘炼

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇阴极
  • 1篇荧光
  • 1篇荧光研究
  • 1篇INGAN/...
  • 1篇V

机构

  • 1篇南京大学

作者

  • 1篇谢自力
  • 1篇张荣
  • 1篇张曌
  • 1篇陶涛
  • 1篇刘斌
  • 1篇刘炼

传媒

  • 1篇稀有金属

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
InGaN/GaN薄膜的阴极荧光研究被引量：1
2011年
利用高性能阴极荧光(CL)联合分析系统结合场发射扫描电镜对使用MOCVD方法在蓝宝石衬底上实现的不同生长温度条件下InGaN/GaN薄膜材料进行测试分析。利用CL紫外可见光谱系统,对(0001)面蓝宝石衬底上生长的InGaN/GaN薄膜进行阴极荧光单色谱测试分析,揭示了CL的发光波长与In成分变化之间的关系,即随着薄膜中In含量的降低CL谱峰值波长随之产生蓝移。为了进一步研究InGaN薄膜材料的发光机制及薄膜中出现的V坑,对InGaN/GaN薄膜材料进行了同一位置的SEM图像和CL Mapping的对比分析,探讨了缺陷与发光的关系。认定了薄膜中出现的大尺寸V坑对InGaN薄膜材料的发光没有帮助;小尺寸V坑被认定为热腐蚀坑,也对薄膜发光没有贡献。结合SEM图像和CL Mapping初步确认了部分In富集区域。同时研究了InGaN/GaN薄膜表面形貌的平坦区域与沟壑区域造成的发光波动。
张曌陶涛刘炼谢自力刘斌张荣
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