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倪喜军

作品数:51 被引量:43H指数:5
供职机构:南京工程学院更多>>
发文基金:江苏省自然科学基金国家自然科学基金江苏省普通高校研究生科研创新计划项目更多>>
相关领域:电气工程电子电信一般工业技术文化科学更多>>

文献类型

  • 42篇专利
  • 9篇期刊文章

领域

  • 9篇电气工程
  • 7篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 13篇MOSFET
  • 10篇电流
  • 9篇电压
  • 9篇SIC
  • 8篇变压
  • 8篇变压器
  • 7篇碳化硅
  • 6篇电容
  • 6篇碳化硅器件
  • 6篇耐压
  • 6篇硅器件
  • 6篇高耐压
  • 5篇谐振
  • 5篇开关
  • 5篇变流
  • 5篇变流器
  • 4篇低电压穿越
  • 4篇电感
  • 4篇电力
  • 4篇电网

机构

  • 51篇南京工程学院
  • 3篇东南大学
  • 3篇重庆大学
  • 3篇广东电网有限...

作者

  • 51篇倪喜军
  • 37篇李先允
  • 31篇王书征
  • 7篇韩焕菊
  • 6篇骆皓
  • 4篇郝思鹏
  • 4篇姜婷婷
  • 3篇王玉荣
  • 3篇张志劲
  • 2篇张宇
  • 2篇高婷婷
  • 2篇刘海涛
  • 2篇张东东
  • 2篇陈光宇
  • 1篇蒋兴良
  • 1篇李军
  • 1篇程桂林

传媒

  • 2篇高电压技术
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇中国电机工程...
  • 1篇电网技术
  • 1篇广东电力
  • 1篇电力电容器与...
  • 1篇南方电网技术

年份

  • 2篇2024
  • 3篇2023
  • 2篇2022
  • 11篇2021
  • 18篇2020
  • 4篇2019
  • 5篇2018
  • 4篇2017
  • 2篇2016
51 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种碳化硅器件驱动电源
本发明公开了一种碳化硅器件驱动电源,包括电源发送端T<Sub>x</Sub>、电源接收端R<Sub>x</Sub>、输出电压调整电路V<Sub>reg</Sub>、电源能量控制和保护电路、绝缘体,电源发送端T<Sub>x...
倪喜军高婷婷杨鹏飞
文献传递
一种基于靶向函数的双星形电容器组调平衡新算法被引量:1
2019年
提出了一种基于靶向的双星形电容器组电容值调平衡新算法。首先通过建立靶向函数确定每轮调平衡的靶心点,然后利用打靶函数进行全覆盖的精确打靶处理,最后按照预先设置的标准不平衡率计算出一组最优调平衡策略,从而实现电容器组调平衡的目的。该算法已经形成了实用化程序并进行了实际应用,取得了良好效果,验证了本算法的有效性和实用价值。该算法具有计算量小、收敛速度快、置换策略最优化的优点,具有良好的应用前景和推广价值。
谢家安王玉荣倪喜军
一种SiC MOSFET有源驱动电路
本发明公开了一种SiC MOSFET有源驱动电路,包括:驱动电路,电压采样电路,脉冲产生电路和电压注入电路;所述电压采样电路,用于采集SiC MOSFET开关过程中栅源极两端电压信号,并传输给脉冲产生电路;所述脉冲产生电...
李先允卢乙倪喜军王书征何鸿天
一种SiC MOSFET近区电磁场建模方法
本发明公开了一种SiC MOSFET近区电磁场建模方法,包括:建立spice模型,根据spice模型建立仿真电路,得到SiC Mosfet三个引脚的时域电流;对引脚的时域电流进行傅里叶分解与频谱分析,将时域电流分解成不同...
李先允羊岳彬余健王书征倪喜军
文献传递
一种器件混合型主动钳位五平变流器
本发明公开了一种器件混合型主动钳位五平变流器,该变流器采用A、B、C三相电路结构,所述变流器由滤波电路、开关器件和电容器组成;所述开关器件由SiC MOSFET管、硅基IGBT模块混合组成。本发明有效地发挥SiC MOS...
倪喜军李先允韩焕菊
文献传递
一种常开型GaN FET的直接驱动电路
本发明公开了一种常开型GaN FET的直接驱动电路,包括驱动输入模块、LVMOS驱动模块、欠压保护模块、CSD模块和过电流保护模块,驱动输入模块输出信号至LVMOS驱动模块、CSD模块和JFET管J1,欠压保护模块和过电...
李先允常印倪喜军
文献传递
一种超宽电压范围隔离型LLC变流器
本发明公开了一种超宽电压范围隔离型LLC变流器,包括2个高压侧H桥电路、2个LLC谐振电路、2个同变比的隔离变压器和三相桥电路;其中,2个高压侧H桥电路连接输入端电源,隔离变压器的原边分别接对应LLC谐振电路和H桥电路的...
倪喜军白雨辰李先允王书征骆皓张东东李东野
文献传递
一种基于用户需求响应的多层级储能优化配置方法及装置
为了针对不同电压等级下储能系统应用的不同需求,本发明公开了一个基于用户需求响应的多层级储能双层规划模型。上层构建10KV及以上中低压配电网侧储能系统优化配置模型,以配电网运行费用最小为目标函数,制定出最优分时电价,并在约...
李先允张效言倪喜军王书征何鸿天
文献传递
一种改进SiC MOSFET开关性能的有源驱动电路被引量:10
2020年
与硅金属氧化物半导体场效应管(silicon metal oxide semiconductor field effect transistor,SiMOSFET)相比,碳化硅(silicon carbide,SiC) MOSFET具有更高的击穿电压,更低的导通电阻,更快的开关速度和更高的工作温度,正被广泛应用于光伏逆变器、电动汽车和风力发电等领域,但是SiC MOSFET的高开关速度会导致器件开关过程中发生电流、电压过冲和振荡,不仅会增加器件的开关损耗,甚至会导致器件损坏。文中首先对SiC MOSFET的开关过程进行详细分析,得出器件开关过程中电流、电压过冲和振荡的产生机理,然后根据影响电流、电压过冲和振荡的关键因数,设计一款有源驱动电路。该电路能够在器件开关的特定阶段内同时增加驱动电阻阻值和减小栅极电流,从而抑制器件开关过程中的电流、电压过冲和振荡。实验结果表明,与传统驱动电路相比,所设计的有源驱动电路能够在不同驱动电阻、负载电流和SiC MOSFET条件下,均有效抑制器件的电流、电压过冲和振荡。
李先允卢乙倪喜军王书征张宇唐昕杰
关键词:过冲
一种SiC MOSFET串联电路
本发明公开了一种SiC MOSFET串联电路,该电路通过使用碳化硅器件直接串联,可以实现至少6kV的高耐压和开关频率几十kHz的功率器件,不仅提高了器件的运行效率和频率,而且有效的控制了成本;还实现了完整的器件保护和启动...
倪喜军李先允韩焕菊
共6页<123456>
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